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含三個憶阻器的六階混沌電路研究

發(fā)布時間:2017-12-09 22:28

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【摘要】:利用兩個磁控憶阻器和一個荷控憶阻器設(shè)計了一個六階混沌電路,并建立了相應(yīng)電路狀態(tài)變量的非線性動力學(xué)方程.研究了系統(tǒng)的基本動力學(xué)特性,平衡點及其穩(wěn)定性分析表明:該電路具有一個位于憶阻器內(nèi)部狀態(tài)變量所構(gòu)成三維平衡點集,平衡點的穩(wěn)定性由電路參數(shù)和三個憶阻器的初始狀態(tài)決定.分岔圖、Lyapunov指數(shù)譜等表明該電路在參數(shù)變化情況下能產(chǎn)生Hopf分岔和反倍周期分岔兩種分岔行為,以及超混沌、暫態(tài)混沌、陣發(fā)周期現(xiàn)象等多種復(fù)雜的非線性動力學(xué)行為.將觀察混沌吸引子時關(guān)注的電壓、電流信號推廣到功率和能量信號,觀察到了蓮花型、疊加型吸引子等奇怪吸引子的產(chǎn)生.并研究了各憶阻器能量信號之間產(chǎn)生吸引子的情況,特別地,當(dāng)取不同的初始值時,系統(tǒng)出現(xiàn)了共存混沌吸引子和周期極限環(huán)與混沌吸引子的共存現(xiàn)象.
【作者單位】: 湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61471310)資助的課題~~
【分類號】:TM132;O415.5
【正文快照】: 替換蔡氏二極管得到新混沌電路;洪慶輝等[22]利1引言用荷控和磁控兩種憶阻器模型設(shè)計了一個五階混沌電路,仿真分析表明含兩個憶阻器的混沌振蕩電2008年,美國HP實驗室[1,2]首次在物理上成路具有更加復(fù)雜的拓撲結(jié)構(gòu)并擁有更豐富的混沌功地實現(xiàn)了基于金屬和金屬氧化物的憶阻器,并

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4 羅頁;曹宇;環(huán)靜;樂永康;;混沌電路實驗兩種模擬方法的比較[A];第六屆全國高等學(xué)校物理實驗教學(xué)研討會論文集(下冊)[C];2010年

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本文編號:1272102

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