本文關(guān)鍵詞：在芯片表面囚禁冷極性分子的多功能靜電阱

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【摘要】：提出了一種用一對金屬平板電容器和4根半埋入絕緣介質(zhì)的桿電極組成的用于囚禁處于弱場搜尋態(tài)的冷極性分子的靜電表面阱方案。用有限元軟件計算了單阱囚禁時的空間電場分布,發(fā)現(xiàn)芯片表面上方2.2 mm左右形成了一個三維封閉的靜電阱。選用重氨(ND_3)分子作為測試分子,用經(jīng)典的蒙特卡羅方法模擬了ND_3分子被裝載和囚禁的動力學(xué)過程。模擬結(jié)果表明,當(dāng)ND_3分子束中心速度為13m/s、裝載時刻為0.576ms時,最大裝載效率可達(dá)53%,被囚禁的冷極性分子的溫度約為35mK;如果繼續(xù)增大平板電極的電壓,則原先的單阱將對稱分裂為兩個阱,兩個阱中的分子數(shù)目比為1…1;通過改變中間兩個桿電極的電壓,可實現(xiàn)非對稱分裂,以此來調(diào)節(jié)兩阱中囚禁分子數(shù)目比;可實現(xiàn)在0%~100%范圍內(nèi)左阱和右阱的分子數(shù)目占總分子數(shù)目的比例的調(diào)節(jié)。該方案為進(jìn)一步研究三維囚禁型冷極性分子靜電表面干涉儀打下基礎(chǔ),對于精密測量和研究物質(zhì)波干涉有著重要的意義。
【作者單位】： 鹽城師范學(xué)院新能源與電子工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金(11504318)
【分類號】：O561
【正文快照】： 近年來,關(guān)于利用冷分子在非均勻場中受到的偶極梯度力實現(xiàn)對冷分子的操控方面的研究取得了很大0602001-1的進(jìn)展,例如可實現(xiàn)冷分子的減速[1-7]、分束[8-9]、反射[10]、導(dǎo)引[11-12]和囚禁[13-16]等。被囚禁的冷分子可以用于諸多方面的研究,例如量子計算和量子信息處理[17-18]、

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