本文關(guān)鍵詞：基于SoC的LTE物理層設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  更多相關(guān)文章： LTE SoC 物理層 調(diào)度機(jī)制 定時(shí)關(guān)系

【摘要】：LTE/SAE架構(gòu)是未來寬帶無線接入的發(fā)展方向,可以解決用戶無線寬帶接入的問題,滿足未來專用通信對(duì)寬帶數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)、多媒體業(yè)務(wù)的需求,以此作為無線接入網(wǎng)絡(luò)具有重要的意義。在專用移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)中,LTE技術(shù)將是未來寬帶無線接入技術(shù)的發(fā)展方向。基于以上技術(shù)驅(qū)動(dòng)的需求,開發(fā)一款基于SoC芯片且適用于6U VPX構(gòu)架的LTE基帶處理平臺(tái),為后續(xù)無線接入設(shè)備研制及無線接入功能集成奠定平臺(tái)基礎(chǔ)。論文在研究LTE物理層工作原理的基礎(chǔ)上,主要研究SoC的構(gòu)架與平臺(tái),以及在該平臺(tái)下LTE物理層的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),主要工作有:1.完成了SoC平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。進(jìn)行了平臺(tái)構(gòu)架設(shè)計(jì)、SoC選型設(shè)計(jì)、原理圖及PCB設(shè)計(jì)、SoC相關(guān)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、平臺(tái)接口設(shè)計(jì)及SoC基礎(chǔ)平臺(tái)的測(cè)試驗(yàn)證等工作。通過L2 Switch芯片對(duì)SoC的Serdes接口進(jìn)行擴(kuò)展,使該平臺(tái)既可以獨(dú)自實(shí)現(xiàn)BBU設(shè)備的同時(shí),也可以作為擴(kuò)展板卡集成到其他設(shè)備中實(shí)現(xiàn)無線接入功能的擴(kuò)展,增加了該平臺(tái)的靈活性和適用性。該平臺(tái)采用6U VPX插卡形式,符合Open VPX相關(guān)技術(shù)規(guī)范,能方便集成于Open VPX構(gòu)架設(shè)備。2.完成了基于SoC平臺(tái)的LTE物理層設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)�；赟oC的芯片構(gòu)架進(jìn)行了任務(wù)調(diào)度機(jī)制與分配機(jī)制設(shè)計(jì);基于對(duì)LTE物理層鏈路的matlab仿真,結(jié)合SoC芯片構(gòu)架進(jìn)行了下行鏈路處理流程設(shè)計(jì)、上行鏈路處理流程設(shè)計(jì);在FAPI接口的基礎(chǔ)上,為了提高M(jìn)AC-PHY接口通信的效率,采用大消息的方式進(jìn)行了定時(shí)關(guān)系設(shè)計(jì)及MAC-PHY接口設(shè)計(jì),減少了層間的頻繁信息交互,提高了效率,在滿足功能性能的同時(shí)降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。3.完成了SoC平臺(tái)上LTE物理層的功能測(cè)試。以打樁測(cè)試的方法,在SoC平臺(tái)上分別對(duì)PUSCH、PUCCH、PRACH以及物理層處理所需時(shí)間進(jìn)行了測(cè)試,通過對(duì)測(cè)試結(jié)果與matlab仿真結(jié)果進(jìn)行比對(duì),驗(yàn)證了物理層信道鏈路設(shè)計(jì)的合理性。
【關(guān)鍵詞】：LTE SoC 物理層 調(diào)度機(jī)制 定時(shí)關(guān)系
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN929.5;TN47
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-11
• 符號(hào)對(duì)照表11-12
• 縮略語對(duì)照表12-19
• 第一章 緒論19-23
• 1.1 研究背景及意義19-20
• 1.2 國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀20-22
• 1.3 論文的主要內(nèi)容和工作安排22-23
• 第二章 LTE物理層基本原理23-35
• 2.1 LTE協(xié)議構(gòu)架和物理層標(biāo)準(zhǔn)體系23-24
• 2.2 物理層傳輸資源24-27
• 2.2.1 時(shí)域資源24-25
• 2.2.2 頻域資源25-27
• 2.3 物理層下行鏈路27-29
• 2.3.1 下行物理信號(hào)27-28
• 2.3.2 下行物理信道28-29
• 2.3.3 下行物理信道處理流程29
• 2.4 物理層上行鏈路29-31
• 2.4.1 上行物理信號(hào)29-30
• 2.4.2 上行物理信道30
• 2.4.3 上行物理信道處理流程30-31
• 2.5 物理層關(guān)鍵技術(shù)31-33
• 2.5.1 OFDM技術(shù)31
• 2.5.2 MIMO技術(shù)31-33
• 2.5.3 HARQ技術(shù)33
• 2.6 本章小結(jié)33-35
• 第三章 硬件平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)35-55
• 3.1 B4860平臺(tái)介紹35-39
• 3.1.1 B4860結(jié)構(gòu)與性能35-36
• 3.1.2 SC3900結(jié)構(gòu)與性能36-37
• 3.1.3 MAPLE-B3基帶加速處理引擎37-39
• 3.2 硬件平臺(tái)基本工作過程39
• 3.3 硬件平臺(tái)組成39-46
• 3.3.1 SoC模塊40-42
• 3.3.2 時(shí)鐘模塊42-44
• 3.3.3 L2 Switch模塊44-46
• 3.4 硬件平臺(tái)調(diào)試與驗(yàn)證46-53
• 3.4.1 調(diào)試驗(yàn)證環(huán)境及準(zhǔn)備工作46-49
• 3.4.2 DDR3內(nèi)存調(diào)試驗(yàn)證49-51
• 3.4.3 以太網(wǎng)接口調(diào)試驗(yàn)證51-52
• 3.4.4 CPRI接口調(diào)試驗(yàn)證52-53
• 3.5 本章小結(jié)53-55
• 第四章 LTE物理層設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)55-75
• 4.1 總體設(shè)計(jì)55-59
• 4.1.1 物理層實(shí)現(xiàn)功能需求55
• 4.1.2 物理層功能劃分55-56
• 4.1.3 調(diào)度機(jī)制56-58
• 4.1.4 處理流程58-59
• 4.2 MAC-PHY接口設(shè)計(jì)59-64
• 4.2.1 大消息概述59-60
• 4.2.2 接口原語60-62
• 4.2.3 大消息定時(shí)關(guān)系62-64
• 4.3 模塊設(shè)計(jì)64-74
• 4.3.1 PRACH處理模塊設(shè)計(jì)64-66
• 4.3.2 SRS處理模塊設(shè)計(jì)66-70
• 4.3.3 PUCCH處理模塊設(shè)計(jì)70-74
• 4.4 本章小結(jié)74-75
• 第五章 LTE物理層測(cè)試與驗(yàn)證75-83
• 5.1 測(cè)試環(huán)境介紹75-77
• 5.2 PUSCH解碼能力測(cè)試77-78
• 5.2.1 測(cè)試目的77
• 5.2.2 測(cè)試步驟77-78
• 5.2.3 測(cè)試結(jié)果78
• 5.2.4 結(jié)果分析78
• 5.3 PUCCH ACK正檢率測(cè)試78-79
• 5.3.1 測(cè)試目的78
• 5.3.2 測(cè)試步驟78-79
• 5.3.3 測(cè)試結(jié)果79
• 5.3.4 結(jié)果分析79
• 5.4 PRACH正檢率測(cè)試79-80
• 5.4.1 測(cè)試目的79
• 5.4.2 測(cè)試步驟79
• 5.4.3 測(cè)試結(jié)果79-80
• 5.4.4 結(jié)果分析80
• 5.5 處理時(shí)間測(cè)試80-81
• 5.5.1 測(cè)試目的80
• 5.5.2 測(cè)試步驟80
• 5.5.3 測(cè)試結(jié)果80
• 5.5.4 結(jié)果分析80-81
• 5.6 本章小結(jié)81-83
• 第六章 結(jié)論83-85
• 6.1 研究結(jié)論83
• 6.2 研究展望83-85
• 參考文獻(xiàn)85-87
• 致謝87-89
• 作者簡(jiǎn)介89-90

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