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氮氧化硅與聚合物混合集成可變光衰減器

發(fā)布時間:2017-06-01 00:04

  本文關(guān)鍵詞:氮氧化硅與聚合物混合集成可變光衰減器,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:可變光衰減器(Variable Optical Attenuator,VOA)可以根據(jù)用戶的要求預(yù)期地降低光信號的能量,因此在光器件的性能檢測及光通信系統(tǒng),尤其是密集波分復(fù)用(Dense Wavelength Division Multiplexing,DWDM)光通信系統(tǒng)等領(lǐng)域具有重要作用。在光通信系統(tǒng)中,VOA不僅能精確地控制光信號的功率,為全部通信波長提供穩(wěn)定的衰減量,實現(xiàn)信道的功率均衡,而且能檢測傳輸系統(tǒng)的動態(tài)范圍,補償光傳輸過程中的功率波動。根據(jù)其制作技術(shù)VOA分為傳統(tǒng)機械型、液晶型、微電機型和平面光波導(dǎo)型等。其中基于平面光波導(dǎo)技術(shù)的VOA通常利用熱光效應(yīng)來實現(xiàn),并具有體積小、性能穩(wěn)定及易于集成等優(yōu)點,是近年來研究的重點。平面光波導(dǎo)型VOA可以利用無機材料如硅,氮氧化硅(Silicon Oxynitride,Si ON)及有機聚合物材料來制作,其中利用硅或SiON等無機材料制作的VOA具有光學(xué)性能優(yōu)異,穩(wěn)定性好的優(yōu)點,但功耗通常較大;利用有機聚合物光波導(dǎo)材料制作VOA具有功耗小、成本低等優(yōu)點,但其光學(xué)性能及穩(wěn)定性相對較差、易老化。本論文正是針對以上問題,并考慮到SiON材料光學(xué)性能優(yōu)良且具有正的熱光系數(shù),而聚合物具有較大的負(fù)的熱光系數(shù)等特點,提出了一種SiON/聚合物混合集成的VOA,論文的主要工作內(nèi)容及成果如下:1.平面光波導(dǎo)型VOA的參數(shù)設(shè)計及仿真模擬首先對平面光波導(dǎo)型VOA的實現(xiàn)方式進行了研究,最終選定S型彎曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu);其次,根據(jù)選定的SiON與聚合物材料,利用有效折射率方法、馬卡梯里方法對構(gòu)成可VOA的單模矩形光波導(dǎo)進行了分析設(shè)計;進一步地,結(jié)合彎曲波導(dǎo)損耗理論對VOA的彎曲波導(dǎo)損耗進行了分析,從而得到器件的幾何結(jié)構(gòu)參數(shù);接下來,利用熱仿真軟件對加熱電極的功耗進行分析從而完成電極的設(shè)計;最后利用BPM對器件的整體性能進行了模擬分析,結(jié)果表明,對于1550 nm的工作波長,VOA實現(xiàn)50 dB的衰減,僅需要4.0 mW的功率。2.平面光波導(dǎo)型VOA的工藝制作研究根據(jù)以上設(shè)計的參數(shù),及選定的材料的性質(zhì),對器件的工藝流程進行了設(shè)計,在此基礎(chǔ)上設(shè)計并外協(xié)加工制作了器件的光刻掩膜板;對器件的制作工藝如光刻、磁控濺射、感應(yīng)耦合離子刻蝕等進行了研究,通過多次的實驗,優(yōu)化了工藝參數(shù);最后根據(jù)優(yōu)化的參數(shù),成功制作了相應(yīng)的器件。3.平面光波導(dǎo)型VOA的測試及優(yōu)化首先搭建了測試平臺,對器件的光學(xué)性能如單模特性,插入損耗等進行了測試,測量得到的最低插入損耗為5.4 dB;其次利用背加熱改變環(huán)境溫度的方式對器件進行了測試,結(jié)果表明器件可實現(xiàn)0~40 dB的衰減范圍,相應(yīng)的最大溫度變化為70.4°C;之后,進一步通過改變VOA電極上所施加的功率對器件進行了測試,結(jié)果表明器件可以實現(xiàn)0~50 dB的衰減范圍,所需最大功耗為328 m W,器件實現(xiàn)27 dB的衰減需要功耗為83 mW;最后,分析討論了功耗較大的原因及降低功耗的方案。
【關(guān)鍵詞】:可變光衰減器 熱光效應(yīng) 氮氧化硅 聚合物 混合集成
【學(xué)位授予單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TN715;TN929.1
【目錄】:
  • 摘要5-7
  • ABSTRACT7-11
  • 簡縮字表11-12
  • 第一章 緒論12-22
  • 1.1 可變光衰減器的研究背景和研究意義12-14
  • 1.2 可變光衰減器技術(shù)簡介14-17
  • 1.2.1 機械型可變光衰減器14-15
  • 1.2.2 液晶型可變光衰減器15
  • 1.2.3 MEMS型可變光衰減器15-16
  • 1.2.4 平面光波導(dǎo)型可變光衰減器16-17
  • 1.3 平面光波導(dǎo)型可變光衰減器的發(fā)展趨勢與研究熱點17-20
  • 1.4 本論文的研究目標(biāo)與內(nèi)容20-22
  • 第二章 氮氧化硅/聚合物混合集成可變光衰減器的設(shè)計22-47
  • 2.1 基本概念22-24
  • 2.1.1 主要特性參數(shù)22-23
  • 2.1.2 熱光系數(shù)23-24
  • 2.2 可變光衰減器的基本設(shè)計思想24-26
  • 2.2.1 氮氧化硅/聚合物的性質(zhì)及應(yīng)用24-25
  • 2.2.2 設(shè)計思路與基本結(jié)構(gòu)25-26
  • 2.3 矩形單模光波導(dǎo)的設(shè)計及彎曲波導(dǎo)損耗分析26-34
  • 2.3.1 矩形光波導(dǎo)理論26-29
  • 2.3.2 單模矩形光波導(dǎo)設(shè)計29-31
  • 2.3.3 彎曲波導(dǎo)損耗分析31-34
  • 2.4 加熱電極功耗分析及低功耗可變光衰減器設(shè)計34-44
  • 2.4.1 電極材料的選取34-35
  • 2.4.2 熱場建模與分析35-36
  • 2.4.3 功耗分析36-39
  • 2.4.4 低功耗可變光衰減器設(shè)計及分析39-44
  • 2.5 BPM模擬分析44-46
  • 2.6 本章小結(jié)46-47
  • 第三章 制作工藝研究47-58
  • 3.1 光波導(dǎo)材料特性47-49
  • 3.2 工藝流程設(shè)計49-51
  • 3.2.1 光波導(dǎo)制作工藝49-50
  • 3.2.2 電極制作工藝50-51
  • 3.3 掩膜版設(shè)計51-53
  • 3.4 主要工藝研究53-55
  • 3.4.1 光刻工藝53-55
  • 3.4.2 磁控濺射工藝55
  • 3.4.3 ICP刻蝕工藝55
  • 3.5 器件制作55-57
  • 3.6 本章小結(jié)57-58
  • 第四章 測試分析及工藝優(yōu)化58-67
  • 4.1 測試平臺58-61
  • 4.2 器件測試參數(shù)61-62
  • 4.3 器件測試結(jié)果62-65
  • 4.4 測試分析及工藝優(yōu)化65-66
  • 4.5 本章小結(jié)66-67
  • 第五章 總結(jié)與展望67-69
  • 5.1 總結(jié)67-68
  • 5.2 存在的不足與展望68-69
  • 致謝69-70
  • 參考文獻70-72
  • 碩士研究生期間取得的研究成果72-73
  • 個人簡介73-74

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 韓曉峰,吳亞明;一種基于SOI材料的直波導(dǎo)可調(diào)諧光衰減器[J];功能材料與器件學(xué)報;2004年03期


  本文關(guān)鍵詞:氮氧化硅與聚合物混合集成可變光衰減器,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號:411013

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