本文關(guān)鍵詞：等離子體顯示板介質(zhì)保護(hù)層材料表面結(jié)構(gòu)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：等離子體顯示器(PDP)介質(zhì)保護(hù)層材料性能的改善是提高PDP性能的一個關(guān)鍵因素。MgO薄膜作為PDP的傳統(tǒng)介質(zhì)保護(hù)層材料,其結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)等直接影響到PDP的顯示效果以及器件性能和質(zhì)量。如何改善和提高M(jìn)gO薄膜的性能受到國內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注和研究。目前對MgO介質(zhì)保護(hù)層的理論研究主要集中于體結(jié)構(gòu),關(guān)于表面結(jié)構(gòu)的模擬計算很少,但MgO表面結(jié)構(gòu)具有重要的研究價值,因為實際MgO薄膜制備時會出現(xiàn)一定的結(jié)晶取向,而不同取向具有不同的能帶結(jié)構(gòu)。本文采用第一性原理研究了MgO不同晶面取向表面結(jié)構(gòu)的電子特性,通過計算相應(yīng)的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度以及電荷分布,從整體上分析各表面的性質(zhì)以及摻雜、空缺對表面結(jié)構(gòu)的影響。首先,計算了(100)面、(110)面、(111)面和氫化(111)面的電子結(jié)構(gòu),在分析其能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度分布的基礎(chǔ)上,利用二次電子發(fā)射系數(shù)近似公式估算了四種表面的Y值。結(jié)果表明,氫化(111)表面有最大的二次電子發(fā)射系數(shù),尤其是Xe+轟擊表面時仍有二次電子發(fā)射。氫化(111)面理論上可作為在高Xe、高氣壓工作氣體下的PDP介質(zhì)保護(hù)層材料優(yōu)選取向。結(jié)合激子概念,計算了(100)面和(110)面的激子光譜,發(fā)現(xiàn)考慮電子空穴對作用后的吸收光譜在低能段會出現(xiàn)一些新的吸收峰,所有這些峰值都會伴隨激子的作用。其次,研究了MgO各理想表面以及含V色心、F色心的空缺表面電子結(jié)構(gòu)的變化情況。研究結(jié)果表明MgO表面可以通過形成F色心在導(dǎo)帶和價帶之間引入缺陷能級,從而減小電子激發(fā)所需能量,提高二次電子發(fā)射系數(shù),進(jìn)而降低采用高Xe工作氣體的PDP放電單元的工作電壓。論文詳細(xì)研究了摻CaO、SiO和ZnO對MgO表面電子結(jié)構(gòu)特性和二次電子發(fā)射的影響,發(fā)現(xiàn)用堿金屬材料CaO、SiO或小禁帶寬度氧化物ZnO來摻雜MgO表面,均能降低禁帶寬度,使高Xe濃度、低工作電壓的PDP成為可能。最后,嘗試對雙層材料結(jié)構(gòu)進(jìn)行相關(guān)的研究。結(jié)果表明,雙層結(jié)構(gòu)能顯著減小禁帶寬度,同時雙層結(jié)構(gòu)形成的界面對整個體系的應(yīng)變和能帶結(jié)構(gòu)有重要影響,界面處會有較多的電子空穴堆積,電子躍遷更容易,有利于二次電子發(fā)射。
【關(guān)鍵詞】：MgO介質(zhì)保護(hù)層 表面結(jié)構(gòu) 空缺 摻雜 二次電子發(fā)射系數(shù)
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN873.94
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-14
• 1.1. 等離子體顯示8-10
• 1.1.1. 等離子體顯示器發(fā)展史8
• 1.1.2. 表面放電式ACPDP8-9
• 1.1.3. 等離子體顯示的特點9-10
• 1.2. 介質(zhì)保護(hù)層材料10-11
• 1.2.1. 介質(zhì)保護(hù)層作用10-11
• 1.2.2. 介質(zhì)保護(hù)層材料技術(shù)要求11
• 1.3. 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀11-13
• 1.4. 論文主要結(jié)構(gòu)和目的13-14
• 第二章 理論基礎(chǔ)14-22
• 2.1. 密度泛函理論(density function theory,DFT)14-16
• 2.1.1. Hohenberg-Kohn定理(H-K定理)14
• 2.1.2. Kohn-Sham方程14-15
• 2.1.3. 交換關(guān)聯(lián)泛函15
• 2.1.4. 贗勢方法15-16
• 2.2. 計算軟件簡介16
• 2.3. 二次電子發(fā)射機(jī)制16-20
• 2.4. 激子光譜20-22
• 第三章 理想MgO表面的第一性原理研究22-30
• 3.1. 引言22
• 3.2. 理想MgO表面電子結(jié)構(gòu)計算和分析22-26
• 3.2.1. 計算模型和方法22-24
• 3.2.2. 理想MgO表面的態(tài)密度圖及分析24-25
• 3.2.3. 二次電子發(fā)射系數(shù)計算25-26
• 3.3. 激子光譜計算26-29
• 3.3.1. 計算方法26
• 3.3.2. 激子光譜分析26-29
• 3.4. 本章小結(jié)29-30
• 第四章 MgO表面空缺研究30-38
• 4.1. 引言30
• 4.2. 表面空缺電子結(jié)構(gòu)計算和分析30-37
• 4.2.1. 模型建立30-32
• 4.2.2. 態(tài)密度圖及分析32-36
• 4.2.3. 二次電子發(fā)射系數(shù)計算36-37
• 4.3. 本章小結(jié)37-38
• 第五章 MgO表面摻雜研究38-50
• 5.1. 引言38
• 5.2. MgO表面摻Ca研究38-44
• 5.2.1. 模型建立38-40
• 5.2.2. 態(tài)密度圖及分析40-41
• 5.2.3. 二次電子發(fā)射系數(shù)計算41-42
• 5.2.4. 放電過程模擬42-44
• 5.3. MgO表面摻Sr、Zn研究44-48
• 5.3.1. 模型建立44-45
• 5.3.2. 態(tài)密度圖及分析45-46
• 5.3.3. 二次電子發(fā)射系數(shù)計算46-47
• 5.3.4. 放電過程模擬47-48
• 5.4. 本章小結(jié)48-50
• 第六章 雙層結(jié)構(gòu)研究50-54
• 6.1. 引言50
• 6.2. 簡單雙層結(jié)構(gòu)研究50-52
• 6.2.1. 模型建立50-51
• 6.2.2. 態(tài)密度圖及分析51-52
• 6.3. 本章小結(jié)52-54
• 第七章 總結(jié)與展望54-58
• 7.1. 總結(jié)54-55
• 7.2. 展望55-58
• 致謝58-60
• 參考文獻(xiàn)60-64
• 作者簡介64

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 孫亦寧;張景欽;程玉峰;;二次電子發(fā)射測試設(shè)備[J];真空與低溫;1983年04期

2 柳襄懷,鄒世昌,屠聿善;離子注入改善二次電子發(fā)射特性研究[J];電子學(xué)報;1987年01期

3 張自毅,羅喬興,郭振宇 ,翟應(yīng)田;一種智能化的二次電子發(fā)射參數(shù)測試儀[J];云南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1988年04期

4 高秀敏,蔡春平;微通道板玻璃的二次電子發(fā)射系數(shù)[J];應(yīng)用光學(xué);1998年04期

5 龍建飛;羅崇泰;王多書;李晨;;高能原電子下金屬曲面二次電子發(fā)射的理論研究[J];半導(dǎo)體光電;2010年03期

6 崔萬照;楊晶;張娜;;空間金屬材料的二次電子發(fā)射系數(shù)測量研究[J];空間電子技術(shù);2013年02期

7 L.R.Koller;禹芳;;二次電子發(fā)射(第一部分)[J];真空電子技術(shù);1963年05期

8 錢恩榮,陳萬鈞;金剛石二次電子發(fā)射特性的研究[J];電子學(xué)報;1984年04期

9 童林夙;睢江程;;一個新的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的實驗方法[J];真空科學(xué)與技術(shù);1984年06期

10 楊春城,火安春;雙槍脈沖法測量介質(zhì)二次電子發(fā)射特性[J];云南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1985年04期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 常天海;陳名開;梁添;;基于空間材料二次電子發(fā)射系數(shù)自動測試系統(tǒng)[A];2010’全國半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會論文集[C];2010年

2 楊春城;金劍華;;離子在金屬及介質(zhì)表面感生的二次電子發(fā)射[A];中國空氣動力學(xué)學(xué)會第十屆物理氣體動力學(xué)專業(yè)委員會會議論文集[C];2001年

3 陳益峰;秦曉剛;柳青;湯道坦;鄭闊海;李存惠;史亮;楊生勝;;材料二次電子發(fā)射特性理論研究[A];第三屆空間材料及其應(yīng)用技術(shù)學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2011年

4 劉猛;胡永宏;柯建林;;氘離子轟擊下金屬氘化物二次電子發(fā)射[A];第三屆全國核技術(shù)與應(yīng)用學(xué)術(shù)研討會會議資料文集[C];2012年

5 武洪臣;王加美;趙青;;等離子體薄膜沉積工藝在微波器件抑制二次電子發(fā)射系數(shù)中的應(yīng)用[A];第十六屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議暨第一屆全國等離子體醫(yī)學(xué)研討會會議摘要集[C];2013年

6 馮娜;楊生勝;陳益峰;;不同帶電情況下材料二次電子發(fā)射系數(shù)的研究[A];中國真空學(xué)會2012學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2012年

7 湯道坦;柳青;秦曉剛;陳益峰;楊生勝;鄭闊海;;玻璃蓋片二次電子發(fā)射對高壓太陽陣功率損耗的影響研究[A];第三屆空間材料及其應(yīng)用技術(shù)學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2011年

8 顧智企;章愛民;倪杰;孫伯彥;潘海茵;;MgO膜在大氣氛中若干物理性質(zhì)的變化[A];華東三省一市第三屆真空學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2000年

9 田立成;石紅;李娟;張?zhí)炱?;二次電子發(fā)射對穩(wěn)態(tài)等離子體推進(jìn)器加速通道鞘層的影響[A];第十五屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議會議摘要集[C];2011年

10 王金淑;劉偉;楊帆;梁文龍;王亦曼;;稀土-鉬/鎢基電子發(fā)射材料的研究進(jìn)展[A];中國電子學(xué)會真空電子學(xué)分會第十九屆學(xué)術(shù)年會論文集（下冊）[C];2013年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 盧其亮;高速離子誘發(fā)二次電子發(fā)射的模擬研究[D];復(fù)旦大學(xué);2003年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 吳金成;二次電子發(fā)射與固體材料靜電起電的理論研究[D];華南理工大學(xué);2013年

2 薛穎瑩;氧化鎂二次電子發(fā)射體測試方法研究[D];浙江大學(xué);2015年

3 覃海娟;霍爾推力器壁面材料二次電子發(fā)射模型及鞘層特性研究[D];大連海事大學(xué);2015年

4 彭玲玲;微通道板薄膜打拿極二次電子發(fā)射特性研究[D];長春理工大學(xué);2014年

5 戴凱;等離子體顯示板介質(zhì)保護(hù)層材料表面結(jié)構(gòu)研究[D];東南大學(xué);2015年

6 張健;二次電子發(fā)射與航天器表面充電的研究[D];南京信息工程大學(xué);2012年

7 陳佳林;中低能離子致靶二次電子發(fā)射系數(shù)研究[D];蘭州大學(xué);2014年

8 喬偉男;微通道板打拿極二次電子發(fā)射特性研究[D];長春理工大學(xué);2012年

9 陳鳳;硅基微通道板結(jié)構(gòu)與增益特性研究[D];深圳大學(xué);2015年

10 步慶杰;MgO二次電子發(fā)射特性及薄膜制備技術(shù)[D];長春理工大學(xué);2010年

  本文關(guān)鍵詞：等離子體顯示板介質(zhì)保護(hù)層材料表面結(jié)構(gòu)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

，

本文編號：404893