現(xiàn)如今,手機(jī)成為人們必不可少的通信手段。為了能夠?qū)崿F(xiàn)更好的通話質(zhì)量和更高的網(wǎng)絡(luò)速率,無(wú)線通信制式已經(jīng)經(jīng)歷了四代革新。與此同時(shí),硬件作為移動(dòng)通信的基石,手機(jī)射頻前端的鏈路架構(gòu)也在快速的更新發(fā)展中。為了能夠?qū)崿F(xiàn)更好的通話質(zhì)量和更高的網(wǎng)絡(luò)速率,如今的手機(jī)射頻前端鏈路需要支持多個(gè)頻段多個(gè)制式以及多種工作模式下的射頻信號(hào)的接收與發(fā)送。所以對(duì)于高性能低成本易于集成的手機(jī)射頻前端的解決方案設(shè)計(jì)與驗(yàn)證一直是近些年科研工作的重點(diǎn)之一。射頻開關(guān)作為前端鏈路不可缺少的重要器件,起著準(zhǔn)確同步的選通相應(yīng)射頻通路從而連通收發(fā)射頻通道的重要功能。所以研究射頻開關(guān)的設(shè)計(jì)方法和與之相關(guān)連的SOI CMOS工藝的相應(yīng)技術(shù)難點(diǎn)具有一定的指導(dǎo)意義。由于手機(jī)射頻前端集成度的大幅提高,開關(guān)現(xiàn)多集成于PA模塊中,與PA、濾波器以及MIPI RFFE控制器一起協(xié)同工作。本文首先深入分析了SOI CMOS工藝對(duì)于實(shí)現(xiàn)射頻開關(guān)的優(yōu)勢(shì)以及關(guān)鍵的難點(diǎn)。并基于SOI CMOS工藝提出了一種高通道數(shù)目射頻開關(guān)的設(shè)計(jì)方法,最后設(shè)計(jì)仿真制作了一款可用于實(shí)際產(chǎn)品中工作在不同頻段的基于SOI CMOS工藝的SP10T與SP8T射頻開關(guān)。該設(shè)計(jì)集成了數(shù)字...

【文章頁(yè)數(shù)】：77 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 論文研究?jī)?nèi)容
    1.4 論文組織結(jié)構(gòu)
第二章 SOICMOS工藝關(guān)鍵技術(shù)分析
    2.1 SOICMOS工藝
    2.2 SOICMOS工藝的優(yōu)勢(shì)
        2.2.1 消除閂鎖效應(yīng)
        2.2.2 降低寄生電容
        2.2.3 工藝步驟簡(jiǎn)單集成度高
    2.3 SOICMOS關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)
        2.3.1 Trip-rich層技術(shù)
        2.3.2 諧波抑制制程
        2.3.3 電荷泵技術(shù)
    2.4 本章小結(jié)
第三章 射頻開關(guān)基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵指標(biāo)分析
    3.1 射頻開關(guān)基本結(jié)構(gòu)
    3.2 射頻開關(guān)關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)
        3.2.1 Ron*Coff參數(shù)
        3.2.2 插入損耗
        3.2.3 隔離度
        3.2.4 線性度
        3.2.5 功率容量
    3.3 本章小結(jié)
第四章 SP8T以及SP10T開關(guān)的設(shè)計(jì)與仿真
    4.1 集成射頻開關(guān)的PAM內(nèi)部架構(gòu)
    4.2 開關(guān)基本設(shè)計(jì)要求
    4.3 開關(guān)直流偏置分析
        4.3.1 直流偏置控制分析
        4.3.2 直流偏置實(shí)現(xiàn)分析
    4.4 晶體管尺寸及堆疊數(shù)目分析
        4.4.1 堆疊數(shù)目分析
        4.4.2 晶體管尺寸分析
    4.5 小信號(hào)仿真
        4.5.1 SP8T小信號(hào)仿真結(jié)果
        4.5.2 SP10T小信號(hào)仿真結(jié)果
    4.6 大信號(hào)仿真
        4.6.1 SP8T大信號(hào)仿真結(jié)果
        4.6.2 SP10T大信號(hào)仿真結(jié)果
    4.7 本章小結(jié)
第五章 邏輯控制電路設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
    5.1 MIPIRFFE與自定義邏輯接口
    5.2 邏輯電路結(jié)構(gòu)
    5.3 ESD保護(hù)電路
    5.4 整體電路與仿真結(jié)果
    5.5 本章小結(jié)
第六章 版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
    6.1 射頻開關(guān)版圖設(shè)計(jì)的考慮
    6.2 聯(lián)合仿真
    6.3 聯(lián)合仿真結(jié)果
    6.4 本章小結(jié)
第七章 測(cè)試方法與結(jié)果分析
    7.1 測(cè)試方法
        7.1.1 EVB測(cè)試
        7.1.2 探針測(cè)試
    7.2 數(shù)據(jù)結(jié)果
        7.2.1 SP8T開關(guān)的測(cè)試結(jié)果
        7.2.2 SP10T開關(guān)的測(cè)試結(jié)果
    7.3 分析
    7.4 本章小結(jié)
第八章 總結(jié)與展望
    8.1 總結(jié)
    8.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)介



本文編號(hào)：3788153