有源相控陣?yán)走_(dá)是當(dāng)前軍事雷達(dá)系統(tǒng)研究的主流趨勢(shì),有源相控陣?yán)走_(dá)具有相當(dāng)多的優(yōu)點(diǎn):可同時(shí)形成多個(gè)獨(dú)立波束,且波束指向非常靈活、迅速,能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)搜索、識(shí)別、跟蹤、制導(dǎo)、無(wú)源探測(cè)等多種功能;多目標(biāo)接戰(zhàn)能力強(qiáng),能同時(shí)監(jiān)視、跟蹤多個(gè)目標(biāo);抗干擾性能好;另外,相控陣?yán)走_(dá)的可靠性高,即使少量模塊失效仍能正常工作。作為構(gòu)成有源相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵模塊,T/R組件的性能好壞直接影響著整個(gè)雷達(dá)系統(tǒng)的工作。小型化的T/R組件的研究對(duì)雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,基于機(jī)載、艦載等移動(dòng)式武器平臺(tái)的研究,則對(duì)T/R組件提出了小型化、高性能以及高可靠性等多種需求。SiP（system in package）技術(shù)的提出與發(fā)展,正好符合了對(duì)T/R組件的研究趨勢(shì)。作為一種新型且發(fā)展迅猛的封裝技術(shù),SiP技術(shù)可以憑借自己獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)來(lái)推動(dòng)整個(gè)T/R組件的發(fā)展。本文首先介紹了T/R組件的研究背景,闡述了SiP技術(shù)的發(fā)展歷程,并對(duì)國(guó)內(nèi)外基于SiP技術(shù)的T/R組件的研究發(fā)展情況作了大致的介紹。簡(jiǎn)單的介紹了電路系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)及其相關(guān)概念,根據(jù)本文的研究對(duì)象提出了基于SiP技術(shù)的T/R組件系統(tǒng)級(jí)協(xié)同設(shè)計(jì)方案,該協(xié)同設(shè)計(jì)方案為整個(gè)T/R組... 

【文章頁(yè)數(shù)】：89 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 T/R組件的研究背景
    1.2 SiP技術(shù)簡(jiǎn)介
    1.3 國(guó)內(nèi)外的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
    1.4 本文主要研究?jī)?nèi)容及研究意義
第二章 基于SiP技術(shù)的系統(tǒng)級(jí)協(xié)同設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介及實(shí)施流程
    2.1 電路系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介
        2.1.1 仿真與設(shè)計(jì)的聯(lián)系
        2.1.2 模擬電路、射頻電路、數(shù)字電路的相互聯(lián)系
        2.1.3 模塊和封裝的聯(lián)系
    2.2 基于SiP技術(shù)的T/R組件系統(tǒng)級(jí)協(xié)同設(shè)計(jì)實(shí)施流程
        2.2.1 系統(tǒng)總體方案設(shè)計(jì)
        2.2.2 器件選擇
        2.2.3 控制電路設(shè)計(jì)
        2.2.4 接收支路方案設(shè)計(jì)及驗(yàn)證
        2.2.5 發(fā)射支路方案設(shè)計(jì)及驗(yàn)證
        2.2.6 多層基板以及互連結(jié)構(gòu)的可實(shí)現(xiàn)性研究
        2.2.7 實(shí)物設(shè)計(jì)加工
        2.2.8 實(shí)驗(yàn)測(cè)試與驗(yàn)證
    2.3 本章小結(jié)
第三章 系統(tǒng)級(jí)封裝中的多層復(fù)合媒質(zhì)基板技術(shù)
    3.1 電路多層基板簡(jiǎn)介
    3.2 多層板加工工藝介紹
    3.3 多層復(fù)合媒質(zhì)基板技術(shù)(MLCMS)及特性
        3.3.1 多層復(fù)合媒質(zhì)基板傳輸及互連
        3.3.2 無(wú)源器件內(nèi)埋置
        3.3.3 小型化及良好的散熱性能
    3.4 本章小結(jié)
第四章 功率模塊及T/R系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)及仿真分析
    4.1 功率發(fā)熱模塊散熱方案設(shè)計(jì)
        4.1.1 功率放大器散熱設(shè)計(jì)方案
        4.1.2 驅(qū)動(dòng)放大器和低噪聲放大器散熱設(shè)計(jì)方案
    4.2 散熱方案仿真驗(yàn)證
        4.2.1 功率模塊散熱方案仿真結(jié)果
    4.3 T/R系統(tǒng)總體熱仿真
    4.4 本章小結(jié)
第五章 T/R組件電路版圖設(shè)計(jì)
    5.1 T/R組件電路布局布線(xiàn)說(shuō)明
    5.2 版圖設(shè)計(jì)及加工實(shí)物圖
        5.2.1 微帶-微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及加工測(cè)試
        5.2.2 T/R組件版圖一
        5.2.3 T/R組件版圖二
        5.2.4 T/R組件版圖三
        5.2.5 T/R組件版圖四
    5.3 本章小結(jié)
第六章 T/R組件測(cè)試及結(jié)果分析
    6.1 接收支路裝配及測(cè)試
        6.1.1 裝配及測(cè)試一
        6.1.2 裝配及測(cè)試二
        6.1.3 問(wèn)題分析
    6.2 發(fā)射支路裝配及測(cè)試
        6.2.1 移相器測(cè)試
        6.2.2 裝配及測(cè)試一
        6.2.3 裝配及測(cè)試二
        6.2.4 問(wèn)題分析
    6.3 本章小結(jié)
第七章 全文工作總結(jié)與展望
    7.1 工作總結(jié)
    7.2 下一步工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3693435