一種改進(jìn)型天文應(yīng)用低噪聲紅外探測器讀出電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
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圖2SFD結(jié)構(gòu)等效輸入噪聲模型采用的工藝設(shè)計(jì)
圖2SFD結(jié)構(gòu)等效輸入噪聲模型采用GlobalFoundries的0.18μmIC工藝設(shè)計(jì)了如圖1(c)所示的單元電路結(jié)構(gòu),W=5μm,L=5μm,取K=10-28V2·F,Cox=5.38×10-3F·m2,根據(jù)仿真結(jié)果得到的gm1、gm2,代入計(jì)算得到fc≈2kHz。在天文探....
圖3SFD結(jié)構(gòu)單元版圖改進(jìn)型單位增益緩沖器單元結(jié)構(gòu)
間跨導(dǎo)。一般情況下,源隨器在未消除體效應(yīng)的影響時,增益約為0.7~0.8,并且會帶來非線性,在應(yīng)用過程中是難以接受的,故必須消除。圖3所示為SFD結(jié)構(gòu)的單元電路版圖結(jié)構(gòu),像元中心距為15μm,在版圖設(shè)計(jì)過程中,消除體效應(yīng)需在DRC規(guī)則內(nèi),將PMOS管襯底所在的N阱與其源連接,單獨(dú)....
圖4單位增益緩沖器型單元結(jié)構(gòu)
圖4單位增益緩沖器型單元結(jié)構(gòu)圖5UB結(jié)構(gòu)等效噪聲模型當(dāng)僅考慮1/f噪聲時,需增加器件面積和輸入管的gm1,新結(jié)構(gòu)在不需要連接襯底與源的情況下,單元輸入管M1的溝道寬、長分別為W=10μm、L=9μm,進(jìn)一步增大了器件的面積,且除M2外其余器件在單元外部,器件版圖面積不受限制。UB....
圖6UB結(jié)構(gòu)單元版圖
0.001KCoxf1(WL)1+g2m2(WL)2g2m1+[g2m3(WL)3·g2m1]·df=2.6×10-12(ln1000-ln0.001)=3.952×10-11V2(11)其中,gm由仿真結(jié)果得到:Vn,inUB=6.286μV(12)與式(6)對比,UB結(jié)構(gòu)的噪....
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