本文在黑洞磁層理論的基礎(chǔ)上重點(diǎn)闡述了磁場(chǎng)提取黑洞旋轉(zhuǎn)能的兩個(gè)機(jī)制: BZ 過程和MC 過程; 并提出了一種大尺度磁場(chǎng)從吸積盤驅(qū)動(dòng)噴流的電磁噴流模型。本文的工作主要集中于以下幾個(gè)方面: 首先,我們用改進(jìn)的等效電路方法推導(dǎo)出了BZ 過程和MC 過程功率和力矩的統(tǒng)一表達(dá)式,并在合理的映射關(guān)系下重點(diǎn)討論BZMC 共存條件和共轉(zhuǎn)半徑。研究表明MC過程能較好地解釋Seyfert 星系MCG-6-30-15 對(duì)應(yīng)的盤內(nèi)區(qū)高發(fā)射率指數(shù)。 其次,我們?cè)陔姶拍Ｊ较绿岢隽舜蟪叨却艌?chǎng)驅(qū)動(dòng)噴流的薄盤模型,并用等效電路方法得到了噴流功率的解析表達(dá)式。結(jié)果表明模型中噴流功率主要來自于盤內(nèi)區(qū)。另外, 將我們的工作與他人的工作做了比較性研究,并討論了BZ 過程的相對(duì)重要性。 接著,我們?cè)陔姶拍Ｊ较绿岢隽舜蟪叨却艌?chǎng)驅(qū)動(dòng)噴流的ADAF 模型,并得到了噴流功率的解析表達(dá)式。我們發(fā)現(xiàn)來自于ADAF 的噴流功率比標(biāo)準(zhǔn)薄盤情況時(shí)更集中于盤內(nèi)區(qū),結(jié)果表明發(fā)現(xiàn)吸積流的徑移主導(dǎo)程度對(duì)噴流功率PADAF的影響是明顯的。 最后,我們分別用標(biāo)準(zhǔn)盤和ADAF 情況下來自盤內(nèi)區(qū)的電磁噴流功率較好地?cái)M合了類星體和BL Lac 天體的射電噴流的觀測(cè)估計(jì)值。
【學(xué)位單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2005
【中圖分類】：P145.8
【部分圖文】：

圖 2-1 連接黑洞視界面與吸積盤內(nèi)區(qū)的磁通管示意圖現(xiàn)在考慮一個(gè)與黑洞相交的環(huán)形磁通管，如圖 2-1 中 a 區(qū)所示，磁通黑洞的視界面的角速度H 并不相等,F H < , 這好象磁力線是旋轉(zhuǎn)一樣。因此黑洞將對(duì)磁通管施加一個(gè)凈力矩,其大小為:( ) ( )( )24H FH Hd L dt j n m R Bπc = × Ψ = Ψn于這一凈力矩的作用,黑洞將把其旋轉(zhuǎn)能量通過共轉(zhuǎn)的磁通管向外傳子:( )( )24F H FF H nP d L dt R Bπc = = Ψ 即為通過與黑洞視界面相交的環(huán)形磁通管傳遞的功率,上述磁通管

圖 2-2 黑洞磁層極向磁場(chǎng)的位型導(dǎo)在該模型中BZ功率和MC功率的統(tǒng)一表達(dá)式，我們假載和MC過程中的盤負(fù)載統(tǒng)一用阻抗LZ 和角速度L 來描磁力線環(huán)構(gòu)成了一個(gè)磁通環(huán)。每個(gè)磁通環(huán)可以用一個(gè)電場(chǎng)位形圖可以用如圖 4-2 所示的等效電路形式來描述[37

圖 2-2 黑洞磁層極向磁場(chǎng)的位型為了推導(dǎo)在該模型中BZ功率和MC功率的統(tǒng)一表達(dá)式，我們假定BZ過程中體物理負(fù)載和MC過程中的盤負(fù)載統(tǒng)一用阻抗LZ 和角速度L 來描寫[24]。我們條相鄰的磁力線環(huán)構(gòu)成了一個(gè)磁通環(huán)。每個(gè)磁通環(huán)可以用一個(gè)電路來等效，1 的極向磁場(chǎng)位形圖可以用如圖 4-2 所示的等效電路形式來描述[37-39]。
【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 盧炬甫;黑洞吸積盤理論進(jìn)展[J];天文學(xué)進(jìn)展;2001年03期

2 曹新伍;活動(dòng)星系核中的噴流形成[J];天文學(xué)進(jìn)展;2002年01期

本文編號(hào)：2838931