發(fā)布時(shí)間：2020-08-03 07:35

【摘要】：QCD預(yù)言退禁閉相變在高溫或高密情況下發(fā)生。中子星內(nèi)部為機(jī)高密環(huán)境,可能有夸克物質(zhì)存在。這給傳統(tǒng)中子星模型及相關(guān)天體物理帶來挑戰(zhàn),脈沖星的中心天體本質(zhì)需要深入探討。通過理解高密核物質(zhì)的性質(zhì),分析了中子星內(nèi)部物質(zhì)的多種可能性,介紹了傳統(tǒng)中子星模型面臨的挑戰(zhàn),闡述相對論平均場理論對強(qiáng)子物質(zhì)描述,MIT袋模型及微擾QCD修正,討論了包含夸克物質(zhì)中子星的構(gòu)造方法及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)�；诨祀s星相變的發(fā)生,穩(wěn)定的混合相存在,提出了限制奇異夸克物質(zhì)狀態(tài)方程參數(shù)的方法。計(jì)算表明QCD修正可以使混雜星狀態(tài)方程變硬,以致混雜星最大質(zhì)量達(dá)到或超過2.OM⊙。在滿足相變物理、穩(wěn)定混合相條件及觀測結(jié)果后,我們給出了奇異物質(zhì)狀態(tài)方程參數(shù)的限制,發(fā)現(xiàn)比絕對穩(wěn)態(tài)條件給出更小參數(shù)范圍。
【學(xué)位授予單位】：華中師范大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：P145.6
【圖文】：

ｐ；ｖｘ）邋％邋４邋ｘ邋１０ｎｇｃｍ＿３處。根據(jù)電子簡并程度，外，其中表層區(qū)很薄，電子處于非簡并狀態(tài)，而深層體，在密度大于ｌ0６５ｃｍ＿３時(shí)為極端相對論性氣體。，所以外殼層大部分區(qū)域處于固態(tài)。外殼層的壓強(qiáng)成中子。隨著密度和壓強(qiáng)的不斷增大，外殼層的中從原子核中漏出，最終在底部形成了自由中子氣體。逡逑殼層是由電子、自由中子和富中子原子核組成，厚Ｐａｗ增大到卯／２，此處Ｐ（）邋＝邋２．８邋ｘ邋１０１４Ｓｃｍ－３為核物增大，導(dǎo)致原子核形狀不再是規(guī)則的幾何狀。在到失。從壓強(qiáng)和密度等方面考慮，內(nèi)殼層有可能存在核主要由中子、質(zhì)子、電子（可能還有／／子）組核的厚度大約為幾千米，密度范圍為０．５ｐ0？２ｐ。。。其中電子與Ｍ子幾乎處在費(fèi)米氣體狀態(tài)，而中子。逡逑ｑｕａｒｋ－ｈｙｔｗｉｄ邐ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ邋ｎｅｕｔｒｏｎ邋ｓｔａｒ逡逑ｓｔａ，逡逑

用了自然單位制，ｃ邋＝邋ａ邋＝邋Ｇ邋＝邋１。方程（２．３）描述的（ｒ）分別是非旋轉(zhuǎn)星體位于半徑ｒ處的能量密度和壓強(qiáng)。條件，？ｎ（ｒ）是星體中包含在半徑ｒ的球內(nèi)的全部質(zhì)量逡逑ｍ（ｒ）邋—邋４ｉｔｔ邋ｆ邋ｅ（ｒ＇）ｒ＇２ｄｒＪｏ逡逑．句和0２．５）用來描述中子星體內(nèi)部的物質(zhì)分布。狀態(tài)方的關(guān)鍵。狀態(tài)方程一旦確定，再知道星體中心的壓強(qiáng)ｐｋ邋＝邋０，我們就可以通過ＴＯＶ方程進(jìn)行積分即可求出ｐ（ｒ）、量Ｍ和半徑Ｒ。積分到星體表面時(shí)，ｐ（ｒ邋＝／？）＝０（這。對于旋轉(zhuǎn)的星體而言，我們必須考慮旋轉(zhuǎn)對度規(guī)和流并求解Ｅｉｎｓｔｅｉｎ方程丨１９－２１丨。從ＴＯＶ方程我們可以看出，構(gòu)丨２２］。不同的狀態(tài)方程給出的質(zhì)量半徑關(guān)系也是不同模型的質(zhì)量半徑關(guān)系逡逑２０邋ｒ邐＇邐１邐＇邐１邐＇邐１邐１邐１邐＇邐１邐＇邐逡逑

本文的一個(gè)重要工作是尋找更硬一點(diǎn)的狀態(tài)方程，所以下面研[傊形頤茄″義先。牽蹋駁哪Ｐ筒問�，主要也蕪�(qiáng)悸塹轎遄椴問校牽蹋駁撓捕茸畬�。它酶[嚶Φ鬧兇渝義閑侵柿浚刖侗冉先繽跡玻�。辶x希

本文編號：2779315