密排六方金屬中點(diǎn)缺陷結(jié)構(gòu)的高通量原子模擬研究
【圖文】:
圖 1.3 空位和自間隙原子形式,對(duì)應(yīng)的點(diǎn)缺陷濃度越大。在級(jí)聯(lián)過程的模數(shù)量的點(diǎn)缺陷。體系溫度和初始碰撞以及初缺陷數(shù)量?瘴辉谑覝叵乱话惚容^穩(wěn)定,較,并且隨著溫度的升高,空位和間隙原子都陷對(duì)材料性能的影響多關(guān)鍵應(yīng)用中受到了點(diǎn)缺陷的影響,其中點(diǎn)響了金屬性質(zhì),并因?yàn)榕c位錯(cuò)強(qiáng)烈的相互作能正常工作取決于空位和間隙原子的形成及重要物理因素:首先,自間隙原子會(huì)導(dǎo)致周形成能非常高,對(duì)于許多金屬約為 4-5eV。隙團(tuán)簇的遷移能量很低,,通常為 0.1-0.2eV
第二章 計(jì)算模擬方法一、 分子動(dòng)力學(xué)方法(一) 分子動(dòng)力學(xué)簡(jiǎn)介分子動(dòng)力學(xué)(MD)方法是一種原子尺度上的計(jì)算模擬方法,其整體思想是采用牛頓運(yùn)動(dòng)方程或拉格朗日、哈密頓方程,通過考察原子或分子的運(yùn)動(dòng)以達(dá)到研究多粒子體系物理性質(zhì)的目的隨著計(jì)算科學(xué)及計(jì)算機(jī)運(yùn)算能力的迅猛發(fā)展,分子動(dòng)力學(xué)方法得到了快速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用,使其成為計(jì)算材料科學(xué)中原子尺度模擬的重要方法。
【學(xué)位授予單位】:沈陽師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TL341
【相似文獻(xiàn)】
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