鎳基鈣鈦礦材料在甲烷干重整中的應(yīng)用研究
【學(xué)位單位】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TE665.3
【部分圖文】:
:42298其中水蒸氣重整和干重整是兩個(gè)強(qiáng)吸熱反應(yīng),所以需要在高溫下進(jìn)行。之下,部分氧化是輕微放熱的,但是其反應(yīng)需要空氣或者氧氣。三個(gè)途徑中蒸氣重整是最成熟的,其工業(yè)化應(yīng)用己經(jīng)實(shí)現(xiàn)了幾十年。然而其高溫高壓的環(huán)境使得該過(guò)程能耗高、設(shè)備投入和維護(hù)費(fèi)用高,并且其產(chǎn)物中的H2/co高,使其只適合于制氫和合成氨,而不太適合用于進(jìn)一步合成液體燃料和其學(xué)品。相比之下,甲烷部分氧化的理論產(chǎn)物H2/CO比更低(為2),更適用續(xù)的合成。但是部分氧化需要額外的分離氧的裝置,并且操作過(guò)程中甲烷與直接混合存在安全隱患。另外其反應(yīng)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生能導(dǎo)致催化劑活性中心燒反應(yīng)熱點(diǎn)[39]。因?yàn)樯鲜龇N種問(wèn)題,甲烷部分氧化仍然處在實(shí)驗(yàn)室階段。對(duì)下,2017年8月,我國(guó)在甲烷干重整技術(shù)研發(fā)上實(shí)現(xiàn)了重要突破,成功搭具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“甲烷二氧化碳自熱重整制合成氣裝置”并實(shí)現(xiàn)了首例工業(yè)示范。這主要是由于甲烷干重整的如下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):(1)反應(yīng)物為CHC02,所以含有C02的天然氣、生物氣不需要額外進(jìn)行分離;(2)與水蒸氣相比,DRM不需要水,可以節(jié)約運(yùn)行成本并可以用于缺水地區(qū);(3)與部化反應(yīng)相比,更加安全;(4)產(chǎn)物中H2/CO比更適于費(fèi)托合成。逡逑
有利[36],兩個(gè)反應(yīng)通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)吉布斯自由能計(jì)算得到的最低反應(yīng)溫度分別為645逡逑和557邋°C[47,48]。一氧化碳歧化反應(yīng)是吸熱的且在700邋°C以上不會(huì)發(fā)生,當(dāng)溫逡逑度高于817邋°C時(shí),逆水煤氣反應(yīng)(RWGS)將不再發(fā)生[36,邋47,邋48]。圖1.2展示逡逑了各反應(yīng)平衡常數(shù)隨溫度變化的曲線。由圖1.2可以看出,隨著溫度的升高,強(qiáng)逡逑吸熱的DRM反應(yīng)(反應(yīng)1.3)的平衡常數(shù)大幅增加,吸熱效應(yīng)相對(duì)比較溫和的逡逑甲烷裂解反應(yīng)(1.4)和RWGS反應(yīng)(1.5)的平衡常數(shù)也有所增加。而放熱的一逡逑氧化碳歧化反應(yīng)(1.6)的平衡常數(shù)則隨著溫度升高而顯著降低。干重整過(guò)程中積逡逑碳主要來(lái)源于甲烷裂解(1.4)和CO歧化(1.6)兩個(gè)反應(yīng)[48]。當(dāng)反應(yīng)物中CH4逡逑和C02的比例固定時(shí),積碳產(chǎn)生的臨界溫度(低于此溫度會(huì)積碳,高于此溫度可逡逑避免積碳)隨著反應(yīng)壓力的減小而減小,而在固定反應(yīng)壓力下,該臨界溫度隨著逡逑C02/CH4比例的減小而增加[47-49]。當(dāng)反應(yīng)物中CH4和C02的比例為1:1、反應(yīng)逡逑壓力為1個(gè)大氣壓時(shí),積碳的臨界溫度為870°C,而把反應(yīng)壓力升高至10個(gè)大逡逑氣壓后,積碳臨界溫度上升到了邋1030°C[48]。此外反應(yīng)氣中CH4和C02的比例逡逑也是影響干重整反應(yīng)的重要因素。當(dāng)CH4過(guò)量的時(shí)候,沒(méi)有足夠的氧來(lái)產(chǎn)生合成逡逑'邐氣。此時(shí)甲烷的轉(zhuǎn)化率會(huì)很低
陷位置進(jìn)行[42]。C02可以在多種金屬(Pt,Pd,Rh,邋Ni、Fe、Cu)表面吸附并逡逑發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,其吸附通常有三種構(gòu)型:(1)僅通過(guò)C原子吸附;(2)僅通過(guò)O逡逑原子吸附;(3)同時(shí)通過(guò)C原子和0原子吸附(如圖1.3),C02在金屬表面吸逡逑附時(shí)更傾向于采取后兩種構(gòu)型,吸附后電子轉(zhuǎn)移會(huì)生成帶有負(fù)電荷的C02_前驅(qū)逡逑體,隨后可能通過(guò)三種不同途徑反應(yīng):(1)解離成CO和0_,傾向于發(fā)生在過(guò)渡逡逑金屬表面;(2)氧化成<:03_和(:032-,傾向于發(fā)生在貴金屬表面;(3)邋C02_與氣逡逑相中C02發(fā)生歧化反應(yīng)生成C03_和CO[35,邋52]。另外,表面吸附的其他原子也逡逑會(huì)影響co2的吸附及活性,比如表面預(yù)先吸附的O會(huì)促進(jìn)C02吸附生成穩(wěn)定的逡逑碳酸鹽[52]。逡逑(0)邋A邋ASI邋122邋A邋\p)逡逑圖1.3邋C02吸附在金屬表面時(shí)的三種構(gòu)型的示意圖:(a)僅通過(guò)c原子吸附;(b)僅通逡逑過(guò)O原子吸附;(c)同時(shí)通過(guò)C原子和O原子吸附(圖片取自文獻(xiàn)[35])逡逑C02也可以在支撐體氧化物的表面吸附,并且其在金屬氧化物上的吸附能通逡逑常要比在金屬表面大,尤其是在氧空位上[80]。不同的支撐體會(huì)導(dǎo)致不同的C02逡逑吸附活化路徑
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本文編號(hào):2830184
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