隨著摩爾定律的不斷推進,集成電路的特征尺寸在不斷縮小。當(dāng)工藝節(jié)點小于100nm時,現(xiàn)有的光刻技術(shù)會明顯受到光學(xué)鄰近效應(yīng)、刻線邊緣粗糙度等因素的影響,使掩模版圖案與轉(zhuǎn)移到光刻膠上的圖形有較大差異。這些偏差有可能會引起晶圓中存在缺陷。為保證晶圓制造的良率,通常采用一些方法對光刻后的掃描電鏡（Scanning Electron Microscope,SEM）圖像做分析,找出晶圓表面的缺陷。然而,獲得大量實際的SEM圖像并不簡單,用于驗證和比較的真實數(shù)據(jù)集非常有限。因此現(xiàn)有的晶圓缺陷檢測算法很多都是基于模擬晶圓數(shù)據(jù)進行測試的。本文根據(jù)某晶圓廠的實際需求,嘗試使用其提供的先進工藝SEM圖像以及電路版圖,生成更多有效的SEM圖像。在后續(xù)流程中,研究人員可以直接使用這些圖像,也可以對其稍加修改后使用。具體內(nèi)容如下:1)提出了一種基于pix2pix網(wǎng)絡(luò)的深度學(xué)習(xí)方法來生成晶圓SEM圖像。首先,結(jié)合晶圓廠提供的SEM圖像特征,設(shè)計了一種模式識別算法,用于從芯片版圖中搜索一組SEM圖像的多邊形圖案。其次,利用收集到的版圖-SEM圖數(shù)據(jù)集,訓(xùn)練生成對抗網(wǎng)絡(luò)模型。實驗表明,該方法合成的圖像可以較好地模擬出SE... 

【文章來源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

歷年全球半導(dǎo)體銷售總額

晶圓缺陷示例圖

圖1.5位于接觸孔和多晶硅柵極上的針孔缺陷圖[8]

【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于局部與非局部線性判別分析和高斯混合模型動態(tài)集成的晶圓表面缺陷探測與識別[J]. 余建波,盧笑蕾,宗衛(wèi)周.  自動化學(xué)報. 2016(01)

博士論文
[1]亞波長光刻條件下集成電路可制造性設(shè)計與驗證技術(shù)研究[D]. 史崢.浙江大學(xué) 2005



本文編號：3397082