等離子體射流的流體力學(xué)模擬和輸運(yùn)系數(shù)計算
發(fā)布時間:2022-02-20 18:13
對等離子體射流的流體力學(xué)進(jìn)行了力學(xué)模擬,分析了場強(qiáng)與電極厚度及極間距離的關(guān)系;分析和探討了在不同初始速度下,氦氣流速、摩爾分布在軸向和徑向的變化關(guān)系;分析和探討了減弱場強(qiáng)對電離系數(shù)、He*的激發(fā)系數(shù)和N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:場強(qiáng)的最大值與最小值都出現(xiàn)在陽極附近,為了增強(qiáng)陽極附近電場,可在一定程度上減小電極板的厚度d和減小兩電極板之間的距離D2;在軸向上,隨著z的增大,VHE逐漸衰減,氦氣的摩爾分布逐漸降低;在徑向上,隨著r的增大VHE逐漸衰減,氦氣的摩爾分布逐漸降低;隨著電場減小,電離系數(shù)、He*的激發(fā)系數(shù)和N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)三者起初變化不太大,當(dāng)電場繼續(xù)減小時,三個系數(shù)下降的幅度變得越來越大,越來越明顯.
【文章來源】:東北電力大學(xué)學(xué)報. 2019,39(03)
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
速度(左)和摩爾分布(右)隨著位置的變化關(guān)系圖(摩爾分布都用實(shí)際值/44.6轉(zhuǎn)化為百分?jǐn)?shù))圖8軸線上摩爾分布的曲線(當(dāng)初始速度為93.4m/s時把紊流計算結(jié)果用虛線加上)
45×10-17V·cm2時,對應(yīng)的He*的激發(fā)系數(shù)為10-12/cm3s-1,當(dāng)E/N0為15.20×10-17V·cm2時,對應(yīng)的激發(fā)系數(shù)為10-16/cm3s-1.在氮?dú)夥肿赢a(chǎn)生的發(fā)射光譜中,由于第一正帶系B3Πg-A3Σ+u與Herman’sIR帶系重疊嚴(yán)重,且第二正系即譜帶N2(C3Πu)能量最強(qiáng)最清晰,故將譜帶N2(C3Πu)作為氮?dú)夥治龅奶卣髯V線[29].不同氦-空氣混合物下約化場強(qiáng)對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù),如圖11所示.在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下,當(dāng)E/N0一定時,氦氣濃度越高,N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)越大.例如,當(dāng)E/N0為13.70×10-17V·cm2時,濃度為90%氦氣對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-12/cm3s-1,濃度為80%氦氣對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-14/cm3s-1,濃度為50%氦氣對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-18/cm3s-1;當(dāng)濃度一定時,隨著E/N0的約化,起初N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)變化不大,當(dāng)E/N0繼續(xù)約化時,N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)下降的幅度變得越來越大.例如,以濃度為50%氦氣為例,當(dāng)E/N0為67.50×10-17V·cm2時,對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-10/cm3s-1;當(dāng)E/N0為34.53×10-17V·cm2時,對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-12/cm3s-1;當(dāng)E/N0為17.56×10-17V·cm2時,對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-
構(gòu)與文獻(xiàn)[23,27,28]中采用的電極配置相似,毛細(xì)玻璃管內(nèi)徑和外徑分別為0.5mm和1.5mm,兩個可移動電極厚度和寬度分別為35μm和1cm,其中兩電極距離D2為1cm,陽極距端口距離D1為1cm,電極寬度W為1cm,電極厚度d為35μm;不同流速對應(yīng)的射流圖像,如圖3所示.實(shí)驗(yàn)裝置布置圖圖2雙電極的等離子體射流示意圖(a)76.4m/s;(b)93.4m/s圖3不同流速的射流圖像2仿真模型玻璃管微元分析圖,如圖4所示.玻璃管長為L,管內(nèi)徑為R,取水平射流方向?yàn)閆,入口壓強(qiáng)為P1,出口壓強(qiáng)為P2.圖4玻璃管微元分析圖2.1層流模型(1)質(zhì)量守恒方程單位時間內(nèi)微元體中流體質(zhì)量的增加等于同一時間間隔內(nèi)流入該微元體的凈質(zhì)量,即?ρ?t+?(ρu)?x+?(ρv)?y+?(ρw)?z=0,(1)引入矢量符號!·α=div(α)=?αx?x+?αy?y+?αz?z,(2)故公式(1)可寫成?ρ?t+!·(ρU)=0.(3)在此實(shí)驗(yàn)條件下可近似地將流動視為穩(wěn)態(tài),則密度ρ不隨時間變化,即!·(ρU)=?(ρu)?x+?(ρv)?y+?(ρw)?z=0.(4)61東北電力大學(xué)學(xué)報第39卷
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]大氣壓He-Ar射頻容性放電Ar亞穩(wěn)態(tài)粒子數(shù)密度[J]. 何永樂,高俊,左都羅,王新兵. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(05)
[2]納秒脈沖火花放電等離子體發(fā)射光譜特性研究[J]. 李威,王志新,史莉. 電工電能新技術(shù). 2016(11)
[3]短間隙的擊穿及其短路放電特性研究[J]. 鐘久明,劉樹林,王玉婷,段江龍. 電工電能新技術(shù). 2016(04)
[4]用于網(wǎng)格狀金屬切割的等離子切割電源控制策略研究[J]. 陳桂濤,劉春強(qiáng),孫強(qiáng),鐘彥儒. 電工電能新技術(shù). 2015(08)
[5]短間隙磁控放電離子電流特性及影響因素研究[J]. 胡上茂,姚學(xué)玲,陳景亮. 電工電能新技術(shù). 2015(08)
[6]不同電極結(jié)構(gòu)中SF6/N2混合氣體正向流注電暈放電特性[J]. 李錳,汪沨,王湘漢. 電工電能新技術(shù). 2015(03)
[7]大氣壓放電氦氣等離子體射流特性[J]. 侯世英,羅書豪,孫韜,曾鵬. 高電壓技術(shù). 2014(04)
[8]大氣壓放電等離子體射流研究進(jìn)展[J]. 林德鋒,羅書豪,侯世英,鄭銳,陸海東,張禹. 中國高新技術(shù)企業(yè). 2013(34)
[9]高壓電暈放電后孔洞與微米功能電介質(zhì)材料的表面電荷動態(tài)衰減特性分析[J]. 趙珩,張嘉輝,單良,姜智文,劉少洋. 東北電力大學(xué)學(xué)報. 2013(05)
[10]雙環(huán)電極大氣壓氦氣等離子體射流的特性及其影響因素[J]. 侯世英,羅書豪,劉坤,曾鵬,肖旭,張闖. 高電壓技術(shù). 2013(07)
博士論文
[1]DNA折紙術(shù)模板構(gòu)建金屬納米圖案及其表面等離子體性質(zhì)的研究[D]. 賈思思.中國科學(xué)院研究生院(上海應(yīng)用物理研究所) 2014
[2]低溫等離子體和脈沖電場滅菌技術(shù)[D]. 鄭超.浙江大學(xué) 2013
[3]飛行器等離子體鞘套對電磁波傳輸特性的影響研究[D]. 鄭靈.電子科技大學(xué) 2013
[4]吸附催化協(xié)同低溫等離子體降解有機(jī)廢氣[D]. 陳杰.浙江大學(xué) 2011
[5]雷達(dá)隱身目標(biāo)電磁散射計算與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 李毅.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2007
碩士論文
[1]導(dǎo)彈雷達(dá)艙等離子體隱身原理研究[D]. 朱冰.西北工業(yè)大學(xué) 2006
本文編號:3635568
【文章來源】:東北電力大學(xué)學(xué)報. 2019,39(03)
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
速度(左)和摩爾分布(右)隨著位置的變化關(guān)系圖(摩爾分布都用實(shí)際值/44.6轉(zhuǎn)化為百分?jǐn)?shù))圖8軸線上摩爾分布的曲線(當(dāng)初始速度為93.4m/s時把紊流計算結(jié)果用虛線加上)
45×10-17V·cm2時,對應(yīng)的He*的激發(fā)系數(shù)為10-12/cm3s-1,當(dāng)E/N0為15.20×10-17V·cm2時,對應(yīng)的激發(fā)系數(shù)為10-16/cm3s-1.在氮?dú)夥肿赢a(chǎn)生的發(fā)射光譜中,由于第一正帶系B3Πg-A3Σ+u與Herman’sIR帶系重疊嚴(yán)重,且第二正系即譜帶N2(C3Πu)能量最強(qiáng)最清晰,故將譜帶N2(C3Πu)作為氮?dú)夥治龅奶卣髯V線[29].不同氦-空氣混合物下約化場強(qiáng)對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù),如圖11所示.在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下,當(dāng)E/N0一定時,氦氣濃度越高,N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)越大.例如,當(dāng)E/N0為13.70×10-17V·cm2時,濃度為90%氦氣對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-12/cm3s-1,濃度為80%氦氣對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-14/cm3s-1,濃度為50%氦氣對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-18/cm3s-1;當(dāng)濃度一定時,隨著E/N0的約化,起初N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)變化不大,當(dāng)E/N0繼續(xù)約化時,N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)下降的幅度變得越來越大.例如,以濃度為50%氦氣為例,當(dāng)E/N0為67.50×10-17V·cm2時,對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-10/cm3s-1;當(dāng)E/N0為34.53×10-17V·cm2時,對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-12/cm3s-1;當(dāng)E/N0為17.56×10-17V·cm2時,對應(yīng)的N2(C3Πu)的激發(fā)系數(shù)為10-
構(gòu)與文獻(xiàn)[23,27,28]中采用的電極配置相似,毛細(xì)玻璃管內(nèi)徑和外徑分別為0.5mm和1.5mm,兩個可移動電極厚度和寬度分別為35μm和1cm,其中兩電極距離D2為1cm,陽極距端口距離D1為1cm,電極寬度W為1cm,電極厚度d為35μm;不同流速對應(yīng)的射流圖像,如圖3所示.實(shí)驗(yàn)裝置布置圖圖2雙電極的等離子體射流示意圖(a)76.4m/s;(b)93.4m/s圖3不同流速的射流圖像2仿真模型玻璃管微元分析圖,如圖4所示.玻璃管長為L,管內(nèi)徑為R,取水平射流方向?yàn)閆,入口壓強(qiáng)為P1,出口壓強(qiáng)為P2.圖4玻璃管微元分析圖2.1層流模型(1)質(zhì)量守恒方程單位時間內(nèi)微元體中流體質(zhì)量的增加等于同一時間間隔內(nèi)流入該微元體的凈質(zhì)量,即?ρ?t+?(ρu)?x+?(ρv)?y+?(ρw)?z=0,(1)引入矢量符號!·α=div(α)=?αx?x+?αy?y+?αz?z,(2)故公式(1)可寫成?ρ?t+!·(ρU)=0.(3)在此實(shí)驗(yàn)條件下可近似地將流動視為穩(wěn)態(tài),則密度ρ不隨時間變化,即!·(ρU)=?(ρu)?x+?(ρv)?y+?(ρw)?z=0.(4)61東北電力大學(xué)學(xué)報第39卷
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]大氣壓He-Ar射頻容性放電Ar亞穩(wěn)態(tài)粒子數(shù)密度[J]. 何永樂,高俊,左都羅,王新兵. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(05)
[2]納秒脈沖火花放電等離子體發(fā)射光譜特性研究[J]. 李威,王志新,史莉. 電工電能新技術(shù). 2016(11)
[3]短間隙的擊穿及其短路放電特性研究[J]. 鐘久明,劉樹林,王玉婷,段江龍. 電工電能新技術(shù). 2016(04)
[4]用于網(wǎng)格狀金屬切割的等離子切割電源控制策略研究[J]. 陳桂濤,劉春強(qiáng),孫強(qiáng),鐘彥儒. 電工電能新技術(shù). 2015(08)
[5]短間隙磁控放電離子電流特性及影響因素研究[J]. 胡上茂,姚學(xué)玲,陳景亮. 電工電能新技術(shù). 2015(08)
[6]不同電極結(jié)構(gòu)中SF6/N2混合氣體正向流注電暈放電特性[J]. 李錳,汪沨,王湘漢. 電工電能新技術(shù). 2015(03)
[7]大氣壓放電氦氣等離子體射流特性[J]. 侯世英,羅書豪,孫韜,曾鵬. 高電壓技術(shù). 2014(04)
[8]大氣壓放電等離子體射流研究進(jìn)展[J]. 林德鋒,羅書豪,侯世英,鄭銳,陸海東,張禹. 中國高新技術(shù)企業(yè). 2013(34)
[9]高壓電暈放電后孔洞與微米功能電介質(zhì)材料的表面電荷動態(tài)衰減特性分析[J]. 趙珩,張嘉輝,單良,姜智文,劉少洋. 東北電力大學(xué)學(xué)報. 2013(05)
[10]雙環(huán)電極大氣壓氦氣等離子體射流的特性及其影響因素[J]. 侯世英,羅書豪,劉坤,曾鵬,肖旭,張闖. 高電壓技術(shù). 2013(07)
博士論文
[1]DNA折紙術(shù)模板構(gòu)建金屬納米圖案及其表面等離子體性質(zhì)的研究[D]. 賈思思.中國科學(xué)院研究生院(上海應(yīng)用物理研究所) 2014
[2]低溫等離子體和脈沖電場滅菌技術(shù)[D]. 鄭超.浙江大學(xué) 2013
[3]飛行器等離子體鞘套對電磁波傳輸特性的影響研究[D]. 鄭靈.電子科技大學(xué) 2013
[4]吸附催化協(xié)同低溫等離子體降解有機(jī)廢氣[D]. 陳杰.浙江大學(xué) 2011
[5]雷達(dá)隱身目標(biāo)電磁散射計算與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 李毅.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2007
碩士論文
[1]導(dǎo)彈雷達(dá)艙等離子體隱身原理研究[D]. 朱冰.西北工業(yè)大學(xué) 2006
本文編號:3635568
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