發(fā)布時間：2021-08-11 15:55

　　原子束源出口的流場決定了原子束源的工作效率,微管道內(nèi)部流場影響著MEMS元器件的性能,動態(tài)氣體鎖內(nèi)部的流場直接影響了其在真空腔室內(nèi)對污染氣體的抑制效果,所以對微結(jié)構(gòu)內(nèi)的流場和真空環(huán)境下流場的研究變得越來越重要。由于稀薄氣體效應(yīng),傳統(tǒng)流體仿真軟件已經(jīng)無法求解該類問題,并且直接求解流場的Boltzmann方程非常困難。本文使用了直接仿真蒙特卡洛方法（DSMC,Direct Simulation Monte Carlo method）求解微管道在稀薄氣體環(huán)境下的流場問題,并提出了DSMC亞音速邊界條件新的處理方法。然后使用DSMC方法及其亞音速邊界條件研究了圓柱形毛細管出口流場的角度分布,并提出了在圓柱形毛細管出口增加圓錐形末端以減小管道出口分子束發(fā)散的方法。為了使用DSMC方法求解微管道內(nèi)的亞音速流動問題,首先研究了亞音速邊界條件,其中提出了恒流量入口和泵出口邊界這兩種亞音速邊界新的處理方法。恒流量入口邊界中提出了插入分子總數(shù)和分子在入口平面上分布的新處理方法。泵出口邊界則由多孔出口邊界實現(xiàn),并提出了邊界上分子移除概率新的計算方法。最后改進的恒流量入口、泵出口、常用的壓力入口/出口和放氣壁... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：119 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

MBE公司生產(chǎn)的氫原子束源當氫原子束源用于清潔光學(xué)元件表面的碳沉積和表面的氧化時，其清潔速率與氫

科 技 大 學(xué) 博 士 學(xué) 位部流場的計算EMS，Microelectromechanical Systems）是將工業(yè)技術(shù)，該技術(shù)主要涉及微米尺度的元器部件組成，元器件的大小在 0.02 至 1 毫米了微納系統(tǒng)的巨大潛力[10]，隨著加工和檢測了迅速的發(fā)展，其在航空航天、生物技術(shù)、其市場未來幾年內(nèi)仍將保持高速的增長[11]。

圖 1-4 ASML 公司 NXE 系列光刻機結(jié)構(gòu)示意圖子清潔光學(xué)元件污染時光刻機需要停止工作，提高氫原子空系統(tǒng)的負荷和系統(tǒng)的維護時間。清潔時一般利用的是原子，所以提高原子束源中軸線附近處的原子流量或密度具中污染氣體的分布和 DGL 對污染氣體抑制效果的計算實成的流場分布問題。DGL 結(jié)構(gòu)復(fù)雜，其結(jié)構(gòu)參數(shù)及入口流，但對抑制率進行理論計算非常困難。由于 DGL 工作在假設(shè)不再成立，傳統(tǒng) CFD 軟件不能用于其流場的求解，所件“PEGASUS”對其流場進行了分析，該軟件采用的是 成的邊界條件來模擬泵出口以及恒流量入口等實際邊界。渦輪分子泵等真空設(shè)備的應(yīng)用也越來越廣泛，其設(shè)計中同[33–35]。所以真空流場的求解方法及其邊界條件值得進一步體流場

【參考文獻】：
期刊論文
[1]尤政院士談中國制造與傳感器/MEMS的發(fā)展前景[J]. 迎九.  電子產(chǎn)品世界. 2017(01)
[2]極紫外真空動態(tài)氣體鎖流場分析與研究[J]. 陳進新,王魁波,王宇.  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2015(08)
[3]光刻機的演變及今后發(fā)展趨勢[J]. 李艷秋.  微細加工技術(shù). 2003(02)



本文編號：3336450