瞬變電磁法回線源形態(tài)對一次場畸變特征研究
【圖文】:
第6期馬炳鎮(zhèn):瞬變電磁法回線源形態(tài)對一次場畸變特征研究·155·其中電流為I,在其周圍任意點P產(chǎn)生的磁場為:03d4πμILrBr。通電矩形回線在空間中任意點P產(chǎn)生的磁場可由4根有限長帶電導(dǎo)線在空間任意P點所產(chǎn)生磁場的疊加得到(圖1)。圖1矩形回線產(chǎn)生磁場示意圖Fig.1Schematicdiagramofmagneticfieldinrectangularcircuit2正常水平矩形回線源在研究畸變一次場之前,首先對水平矩形回線源地下空間介質(zhì)中正常場的分布特征進行了計算分析。如圖2所示,,矩形回線源水平布設(shè)于地表,邊長為100m×100m,發(fā)射電流為1A,分別對地下介質(zhì)中0m(地表), 20m, 50m, 70m, 100m一次場的分布特征進行分析研究。圖2水平矩形回線源模型示意圖Fig.2Schematicdiagramofhorizontalrectangularloopsourcemodel圖3為水平矩形回線源不同深度磁場三分量分布曲線,圖3a為過中心點X方向Hx分量,其曲線形態(tài)呈反對稱特征,單支曲線隨深度的增加幅值呈依次衰減的趨勢。圖3b為過中心點Y方向Hy分量,曲線特征與Hx分量一致;圖3c為過中心點Z方向Hz分量,地表處框內(nèi)、外Hz方向相反,且在發(fā)射邊線處磁場幅值為無窮大,隨著離邊線距離的增大,磁場快速衰減;隨著深度的增加且磁場整體呈依次衰減的趨勢。圖3水平矩形回線源過中心點不同深度磁場三分量分布曲線Fig.3Distributionofthreecomponentsofmagneticfieldofhorizontalrectangularloopsourceacrossthecentralpointatdifferentdepth圖4為水平矩形回線源不同深度一次場Hz分量磁場橫截面分布圖,圖中方框為矩形回線源投影所在位置。圖4a—圖4e分別為0m(地表)、 20m、 50m、 70m和 100m處?梢钥闯,隨著深度的增加,磁場正方向范圍繼續(xù)增大,回線
第6期馬炳鎮(zhèn):瞬變電磁法回線源形態(tài)對一次場畸變特征研究·155·其中電流為I,在其周圍任意點P產(chǎn)生的磁場為:03d4πμILrBr。通電矩形回線在空間中任意點P產(chǎn)生的磁場可由4根有限長帶電導(dǎo)線在空間任意P點所產(chǎn)生磁場的疊加得到(圖1)。圖1矩形回線產(chǎn)生磁場示意圖Fig.1Schematicdiagramofmagneticfieldinrectangularcircuit2正常水平矩形回線源在研究畸變一次場之前,首先對水平矩形回線源地下空間介質(zhì)中正常場的分布特征進行了計算分析。如圖2所示,矩形回線源水平布設(shè)于地表,邊長為100m×100m,發(fā)射電流為1A,分別對地下介質(zhì)中0m(地表), 20m, 50m, 70m, 100m一次場的分布特征進行分析研究。圖2水平矩形回線源模型示意圖Fig.2Schematicdiagramofhorizontalrectangularloopsourcemodel圖3為水平矩形回線源不同深度磁場三分量分布曲線,圖3a為過中心點X方向Hx分量,其曲線形態(tài)呈反對稱特征,單支曲線隨深度的增加幅值呈依次衰減的趨勢。圖3b為過中心點Y方向Hy分量,曲線特征與Hx分量一致;圖3c為過中心點Z方向Hz分量,地表處框內(nèi)、外Hz方向相反,且在發(fā)射邊線處磁場幅值為無窮大,隨著離邊線距離的增大,磁場快速衰減;隨著深度的增加且磁場整體呈依次衰減的趨勢。圖3水平矩形回線源過中心點不同深度磁場三分量分布曲線Fig.3Distributionofthreecomponentsofmagneticfieldofhorizontalrectangularloopsourceacrossthecentralpointatdifferentdepth圖4為水平矩形回線源不同深度一次場Hz分量磁場橫截面分布圖,圖中方框為矩形回線源投影所在位置。圖4a—圖4e分別為0m(地表)、 20m、 50m、 70m和 100m處?梢钥闯觯S著深度的增加,磁場正方向范圍繼續(xù)增大,回線
【作者單位】: 中煤科工集團西安研究院有限公司;
【基金】:國家自然科學(xué)基金項目(41374150)~~
【分類號】:P631.325
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本文編號:2539283
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