本文關(guān)鍵詞：微加工技術(shù)在高精度位移傳感器中的應(yīng)用，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展和人類生活水平的不斷提高,近年來出現(xiàn)了各種各樣的傳感器。高精度位移傳感器是一種新型的傳感器,相對于其它大位移傳感器,高精度位移傳感器具有其獨(dú)特的優(yōu)勢。這類傳感器的結(jié)構(gòu)比較多,其主要的特征是電極呈柵狀,因此也被稱為容柵式位移傳感器。當(dāng)電極之間發(fā)生平行移動(dòng)時(shí),相對覆蓋面積發(fā)生變化,從而電容量隨之發(fā)生改變,實(shí)現(xiàn)幾何量的測量。因此,具有廣泛的應(yīng)用。 本文第一章首先介紹容柵式位移傳感器的發(fā)展?fàn)顩r,然后著重闡述容柵式位移傳感器工作原理。容柵式位移傳感器可以分為直線型容柵位移傳感器、圓形容柵位移傳感器和圓筒型位移容柵傳感器。 高精度位移傳感器研發(fā)的主要過程是微加工工藝,第二章介紹了微加工原理、微加工發(fā)展歷程以及本實(shí)驗(yàn)的主要步驟,包括磁控濺射、紫外曝光光刻、刻蝕。 第三章講述磁控濺射。玻璃基片的潔凈程度對實(shí)驗(yàn)有很大的影響,優(yōu)化出清洗玻璃基片最佳方法。接著介紹了真空系統(tǒng),給出磁控濺射實(shí)驗(yàn)真空獲得的步驟。然后重點(diǎn)講述了磁控濺射原理及其電源,最后給出磁控濺射鍍膜的工藝流程。 第四章主要介紹紫外曝光。通過本實(shí)驗(yàn)每個(gè)步驟的注意事項(xiàng),對圖形光刻的各個(gè)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,并說明每個(gè)參數(shù)對本實(shí)驗(yàn)的影響,總結(jié)出適宜本實(shí)驗(yàn)的每個(gè)參數(shù)。 第五章著重介紹刻蝕的機(jī)理。包括離子束刻蝕(IBE)和感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP),并給出主要刻蝕流程。結(jié)合實(shí)驗(yàn)中所用的刻蝕機(jī)和高精度位移傳感器膜層結(jié)構(gòu),總結(jié)出最佳刻蝕參數(shù)。最后對本論文總結(jié),并作展望。
【關(guān)鍵詞】：位移傳感器 微加工工藝 磁控濺射 紫外曝光 刻蝕
【學(xué)位授予單位】：安徽大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TP212;TH16
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-8
• 第一章 緒論8-14
• 1.1 引言8-10
• 1.2 容柵式位移傳感器的工作原理10-14
• 第二章 微加工制作高精度位移傳感器流程14-26
• 2.1 高精度位移傳感器制作與微加工14-16
• 2.2 微電子加工工藝16-26
• 2.2.1 微加工發(fā)展歷程16-17
• 2.2.2 薄膜的生長17-19
• 2.2.3 掩模版的制作19-21
• 2.2.4 光刻工藝簡介21-23
• 2.2.5 刻蝕工藝介紹23-26
• 第三章 磁控濺射實(shí)驗(yàn)26-36
• 3.1 玻璃基片的清洗26-28
• 3.2 真空系統(tǒng)簡介28-31
• 3.3 磁控濺射鍍膜31-36
• 3.3.1 磁控濺射原理31-32
• 3.3.2 磁控濺射電源32-33
• 3.3.3 磁控濺射鍍膜工藝流程33-36
• 第四章 光刻實(shí)驗(yàn)36-42
• 4.1 甩膠過程36-40
• 4.1.1 紫外光刻膠37-39
• 4.1.2 甩膠參數(shù)的確定39-40
• 4.2 紫外曝光40-41
• 4.3 顯影41-42
• 第五章 刻蝕實(shí)驗(yàn)42-50
• 5.1 離子束刻蝕(IBE)42-47
• 5.1.1 離子束刻蝕機(jī)結(jié)構(gòu)43-45
• 5.1.2 離子束刻蝕參數(shù)的確定45-47
• 5.2 感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)47-50
• 第六章 總結(jié)50-51
• 6.1 總結(jié)50
• 6.2 展望50-51
• 參考文獻(xiàn)51-55
• 致謝55
• 攻讀碩士學(xué)位期間申請的專利55

【參考文獻(xiàn)】

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  本文關(guān)鍵詞：微加工技術(shù)在高精度位移傳感器中的應(yīng)用，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號(hào)：496870