納米尺度氣體薄膜潤(rùn)滑理論與技術(shù)在計(jì)算機(jī)硬盤磁頭/磁盤系統(tǒng)和微/納機(jī)電系統(tǒng)的界面設(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用前景,是納米摩擦學(xué)研究的一個(gè)前沿領(lǐng)域。為開展納米尺度氣體薄膜潤(rùn)滑理論的研究,本文首先研究了納米尺度下的氣體微觀行為和輸運(yùn)特性與宏觀尺度下的差異,提出了納米尺度效應(yīng)函數(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)因尺度縮小帶來的氣體物理行為的數(shù)學(xué)描述,并成功地修正了非平衡態(tài)氣體統(tǒng)計(jì)力學(xué)中的 BGK 碰撞模型,探討了納觀氣體分子運(yùn)動(dòng)規(guī)律。應(yīng)用上述理論,本文主要進(jìn)行了兩類氣體潤(rùn)滑模型的研究,第一,研究了納米間隙中的 Couette 流和 Poiseuille 流,完成了對(duì)膜厚方向的流動(dòng)速度、流量和切向應(yīng)力等流體參數(shù)更為準(zhǔn)確的理論計(jì)算,修正了基于分子運(yùn)動(dòng)論的 F-K 潤(rùn)滑模型,從而提高了該模型在納米級(jí)膜厚區(qū)域的適用性。第二,本文對(duì)納米尺度下的滑流問題進(jìn)行了深入的研究,利用本文提出的修正 BGK 模型方程式,給出了納米間隙中氣固邊界速度滑移參數(shù)的計(jì)算公式,并考慮表面調(diào)節(jié)因子小于 1 的情況;提出了新的基于滑移理論的氣體潤(rùn)滑模型,該模型具有準(zhǔn)確性高和計(jì)算過程簡(jiǎn)單的特點(diǎn),適用于具有不同邊界表面參數(shù)的跨尺度氣體潤(rùn)滑。論文還針對(duì)氣體薄膜潤(rùn)滑... 

【文章來源】：清華大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：121 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

磁頭ABS面壓力分布圖

第 5 章 納米尺度氣體薄膜潤(rùn)滑理論的應(yīng)用研究表5.1 飛行位置與氣流入射傾角半徑(mm) 入射傾角(deg） J′OD 45.691 18.238 弱MD 34.333 5.979ID 23.027 -10.196 弱1.00

圖5.6 CMX磁頭ABS面三維示意圖9.510.010.511.011.512.012.513.013.514.014.515.0lFiygnHeihtg(nm)Experiment Data1st-rd Model2nd-rd ModelF-K ModelPresent Model

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]先進(jìn)電子制造中的重要科學(xué)問題[J]. 雷源忠,雒建斌,丁漢,鐘掘.  中國(guó)科學(xué)基金. 2002(04)
[2]計(jì)算機(jī)制造中的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題[J]. 雷源忠,丁漢,雒建斌.  現(xiàn)代制造工程. 2001(11)



本文編號(hào)：2968776