采用單輥甩帶法制備了厚度為0. 03 mm的6. 5%Si極薄帶,并在真空爐中進(jìn)行了880℃和920℃的退火處理。利用XRD和EBSD研究了其在退火后的宏觀和微觀織構(gòu)演變規(guī)律。結(jié)果表明:經(jīng)單輥甩帶制得的6. 5%Si極薄帶織構(gòu)主要由{001}100立方織構(gòu)、{110}001 Goss織構(gòu)和{112}111織構(gòu)組成。隨著退火溫度的升高,λ纖維仍占主導(dǎo)地位,且晶粒尺寸逐漸增大。特別是在920℃退火時(shí),{001}120和{001}100晶粒的尺寸優(yōu)勢(shì)逐漸增大,不利織構(gòu){111}110和{111}112逐漸減弱,且最終的磁感應(yīng)強(qiáng)度B_(50)=1. 644 T,鐵損耗P_(10/400)=5. 896 W/kg。
【部分圖文】：

6.5%Si極薄帶的宏觀織構(gòu)

6.5%Si極薄帶的宏觀織構(gòu)

6.5%Si薄帶以純鐵(99.98%)、純硅(99.98%)為原料，首先用酸洗和堿洗清除原料表面的污垢，并用真空爐熔煉成母合金。然后在高純度氬氣保護(hù)氣氛下將母合金熔化后，噴涂在水冷旋轉(zhuǎn)銅輥上，形成快速凝固的薄帶，通過調(diào)整銅輥速度、噴涂角度和熔體溫度調(diào)控薄帶的厚度、寬度和表面質(zhì)量，最終制得厚度為0.03 mm，寬度為40 mm的6.5%Si薄帶，如圖1所示，可見，單輥甩帶法制得的6.5%Si極薄帶具有明亮的金屬光澤和良好的表面質(zhì)量。對(duì)6.5%Si薄帶進(jìn)行溫度分別為880℃和920℃，升溫速率為10℃/min，保溫時(shí)間為60 min的退火處理。取金相樣品，經(jīng)拋光后在4%硝酸酒精溶液中腐蝕20 s，用光學(xué)顯微鏡觀察其顯微組織，并用電子背散射衍射(EBSD)方法研究其縱截面的微觀織構(gòu)。由于試樣非常薄，不適合傳統(tǒng)方法的拋光，為了獲得高質(zhì)量的材料表面，采用氬離子束對(duì)試樣進(jìn)行拋光。采用西門子D-5000X射線衍射儀測(cè)定原始樣品和退火后樣品的織構(gòu)，得到3個(gè)不完全極圖{110}、{200}和{211}，并用級(jí)數(shù)展開法(Imax=22)計(jì)算方位分布函數(shù)。將樣品剪切成100 mm×30 mm規(guī)格，并使用TM-5000磁性能測(cè)量?jī)x檢測(cè)薄帶的磁感應(yīng)強(qiáng)度和鐵損值。
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本文編號(hào)：2841989