本文選題：MEMS器件 + 沖擊環(huán)境　； 參考：《強激光與粒子束》2016年06期

【摘要】：采用限位塊可以提高MEMS器件的抗沖擊性能,但由于沖擊環(huán)境中MEMS結構與限位塊的碰撞過程可能產(chǎn)生較大的瞬間沖擊以致器件失效,用彈性限位塊可以有效解決上述問題,但是其防護效果會受到限位參數(shù)的影響。為了得到限位塊最佳設計參數(shù),首先建立了MEMS器件的沖擊動力學模型,提取了影響MEMS器件沖擊響應的因素,進而分析了限位塊彈性系數(shù)、限位距對沖擊響應的影響;最后提出了限位塊的設計方法并給出了最終設計結果。結果表明:設計彈性限位塊需要兼顧限位效果和緩沖性能,同時減小限位距也可顯著提高微器件抗沖擊性能。
[Abstract]:The impact resistance of MEMS devices can be improved by using limiting blocks. However, due to the impact process of MEMS structure and limiter in impact environment, the device may fail, so the above problems can be effectively solved by using elastic location-limiting blocks. But its protective effect will be affected by the limit parameter. In order to obtain the optimal design parameters of the limit block, the impact dynamics model of the MEMS device is established, the factors influencing the impact response of the MEMS device are extracted, and the influence of the elastic coefficient of the limiting block and the limit distance on the impact response is analyzed. Finally, the design method of limit block is proposed and the final design result is given. The results show that both the limit effect and the buffer performance should be taken into account in the design of the elastic limit block, and the impact resistance of the micro device can be improved significantly by reducing the limit distance at the same time.
【作者單位】： 同濟大學機械與能源工程學院;
【基金】：supported by Shanghai Municipal Natural Science Foundation(16ZR1438800) National Natural Science Foundation of China(51075305)
【分類號】：TH-39

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本文編號：1955495