發(fā)布時(shí)間：2017-10-06 18:03

  本文關(guān)鍵詞：基于TDICE單元的SRAM抗SEU加固設(shè)計(jì)

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【摘要】：雙立互鎖存儲(chǔ)單元(DICE),在保持狀態(tài)下是一種可靠有效的單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)加固方法,但是,基于DICE單元的SRAM在讀操作下會(huì)發(fā)生抗SEU失效.相比抗單個(gè)敏感節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的效果,DICE抗多個(gè)敏感節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的能力較弱.為此,在DICE結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上采用讀寫分離機(jī)制,以解決DICE單元在讀寫過(guò)程中的節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)問(wèn)題.同時(shí),根據(jù)電阻加固原理,在DICE存儲(chǔ)單元的節(jié)點(diǎn)之間增加NMOS管,即TDICE(Transistor DICE)結(jié)構(gòu),其利用晶體管隔離反饋回路中的節(jié)點(diǎn)間的連接,提高了SRAM的抗多節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)能力.Spectre仿真結(jié)果表明:基于TDICE單元的SRAM具有較強(qiáng)的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力.
【作者單位】： 江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)學(xué)院工程學(xué)院;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所;
【關(guān)鍵詞】： SRAM 單粒子翻轉(zhuǎn) DICE 讀寫分離 TDICE
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 1引言在空間輻射環(huán)境中,高能粒子在穿過(guò)電子器件的敏感區(qū)時(shí),引發(fā)存儲(chǔ)電路的單粒子翻轉(zhuǎn),造成器件邏輯狀態(tài)的改變和器件的損壞[1].為此,提高電路抗單粒子翻轉(zhuǎn)的能力至關(guān)重要.對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)的加固方法很多,如工藝加固、系統(tǒng)級(jí)加固和電路級(jí)加固等使電路獲得較好的抗SEU能力.工藝加，

本文編號(hào)：984195