本文關(guān)鍵詞：高速SDRAM芯片測試技術(shù)研究

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【摘要】：21世紀(jì)以來,人類進(jìn)入了信息化時(shí)代,人們對(duì)信息的依賴和需求越來越高。芯片制造技術(shù)的進(jìn)步使得集成電路的成本不斷降低,但是集成電路的測試成本卻幾乎不變,這就使得人們開始追求和開發(fā)更加廉價(jià)的測試技術(shù)和設(shè)備。同時(shí)隨著通信等各種技術(shù)的日益進(jìn)步,人們對(duì)存儲(chǔ)器的容量和性能提出了更高的要求。由于同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)具有存儲(chǔ)容量大,操作速度快,以及價(jià)格低廉等優(yōu)勢而得到了廣泛的使用。但是SDRAM存儲(chǔ)器對(duì)時(shí)序的要求較高和有定時(shí)刷新的需要,因此在使用前需對(duì)SDRAM進(jìn)行各種相關(guān)的測試以確保SDRAM的完好性。本文以一款SDRAM芯片IS42S16320B為例,利用FPGA技術(shù)和泰瑞達(dá)測試設(shè)備J750分別對(duì)SDRAM的功能和電性能等特性進(jìn)行測試。首先生成控制SDRAM時(shí)序和控制器時(shí)序的PLL鎖相環(huán)。PLL鎖相環(huán)的是根據(jù)控制SDRAM時(shí)序和控制器時(shí)序的超前和滯后情況進(jìn)行設(shè)置。利用SOPC Builder建立SDRAM控制器,再利用Nios Ⅱ IDE集成開發(fā)環(huán)境建立和編寫功能測試程序。功能測試包括地址線檢測、數(shù)據(jù)線檢測和存儲(chǔ)空間檢測,存儲(chǔ)空間檢測又包括0x55測試、Oxaa測試和全空間累加測試。經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證,此功能測試平臺(tái)能較好地檢驗(yàn)SDRAM芯片的工作狀態(tài)。SDRAM電性能是在Teradyne設(shè)備J750進(jìn)行測試的。測試前利用Teradyne IG-XL軟件編寫測試程序和利用測試向量生成器編寫在相關(guān)測試時(shí)所用的測試向量測試向量。在此測試中,主要包括SDRAM引腳的開短路測試、DC參數(shù)測試和標(biāo)準(zhǔn)功能檢測。DC參數(shù)測試主要包括漏電流(IIL與IOL)測試、VOL/IOL測試、VOH/IOH測試。J750測試出來的DC參數(shù)與IS42S16320B的電特性參數(shù)進(jìn)行對(duì)比,自動(dòng)獲取測試結(jié)果。經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證,此測試能很好的完成SDRAM電特性參數(shù)的檢驗(yàn)。通過對(duì)SDRAM的功能和電特性測試,本文對(duì)SDRAM芯片進(jìn)行了深入的研究。該研究能很好的完成SDRAM的功能和電特性的檢測,為SDRAM芯片的應(yīng)用提供良好的質(zhì)量保證。
【關(guān)鍵詞】：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 SOPC系統(tǒng)技術(shù) 泰瑞達(dá)J750 電性能測試
【學(xué)位授予單位】：廣東工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-7
• 目錄7-9
• CONTENT9-11
• 第一章 緒論11-19
• 1.1. 課題的研究背景11-12
• 1.2. 存儲(chǔ)器的發(fā)展12-15
• 1.2.1. 存儲(chǔ)器的分類12-14
• 1.2.2. SDRAM存儲(chǔ)器的發(fā)展14-15
• 1.3. 集成電路測試15-17
• 1.3.1. 集成電路測試概述15-16
• 1.3.2. 集成電路測試發(fā)展?fàn)顩r16-17
• 1.4. 課題研究工作17-18
• 1.5. 論文結(jié)構(gòu)18-19
• 第二章 SDRAM的結(jié)構(gòu)與特性19-33
• 2.1. SDRAM的工作原理與結(jié)構(gòu)19-22
• 2.1.1. SDRAM的工作原理19-21
• 2.1.2. SDRAM引腳定義與功能結(jié)構(gòu)21-22
• 2.2. SDRAM的主要命令22-24
• 2.3. SDRAM的主要操作及時(shí)序24-31
• 2.3.1. SDRAM初始化操作24-28
• 2.3.2. SDRAM預(yù)充電操作28-29
• 2.3.3. SDRAM激活操作29
• 2.3.4. SDRAM讀操作29-30
• 2.3.5. SDRAM寫操作30-31
• 2.3.6. SDRAM刷新操作31
• 2.4. SDRAM的主要時(shí)序參數(shù)31-32
• 2.5. 本章小結(jié)32-33
• 第三章 SDRAM的功能驗(yàn)證設(shè)計(jì)33-48
• 3.1. 基于SOPC的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)33-40
• 3.1.1. SOPC與Avalon總線的介紹33-35
• 3.1.2. SDRAM控制器的整體架構(gòu)35-40
• 3.2. 基于NIOS Ⅱ處理器的測試設(shè)計(jì)40-46
• 3.2.1. Nios Ⅱ IDE開發(fā)環(huán)境的介紹40
• 3.2.2. SDRAM測試程序設(shè)計(jì)40-46
• 3.3. FPGA綜合與驗(yàn)證結(jié)果46-47
• 3.4. 本章小結(jié)47-48
• 第四章 SDRAM的電特性測試設(shè)計(jì)48-79
• 4.1. TERADYNE J750與TERADYNE IG-XL簡介48-51
• 4.1.1. Teradyne J75048-50
• 4.1.2. Teradyne IG-XL50-51
• 4.2. SDRAM電特性測試51-78
• 4.2.1. 基于PMU的開短路測試51-54
• 4.2.2. DC參數(shù)測試54-76
• 4.2.3. 標(biāo)準(zhǔn)功能測試76-78
• 4.3. 本章小結(jié)78-79
• 總結(jié)與展望79-81
• 參考文獻(xiàn)81-83
• 碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文83-85
• 致謝85-86
• 附錄86-94

【相似文獻(xiàn)】

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