本文關(guān)鍵詞：基于SRAM和PRAM混合主存設(shè)計(jì)

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【摘要】：由于DRAM芯片超高的靜態(tài)功耗,使得利用DRAM構(gòu)建高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的大容量主存遇到能耗過大問題,這激發(fā)了對(duì)新型大容量主存結(jié)構(gòu)的研究。針對(duì)上述問題,設(shè)計(jì)了一種基于SRAM和PRAM的混合主存系統(tǒng),該系統(tǒng)將SRAM作為PRAM的專用寫緩存,并將改進(jìn)后的LRFU算法應(yīng)用到SRAM寫緩存,從而在對(duì)主存系統(tǒng)性能影響不大的前提下,有效降低主存系統(tǒng)的能耗和延長(zhǎng)PRAM的可用時(shí)間。仿真結(jié)果顯示,所設(shè)計(jì)的混合存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的能耗-延時(shí)積(EDP)為純DRAM存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的40%;此外,與純PRAM存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)相比,可使PRAM的寫操作次數(shù)下降28.5%,與將SRAM作為Cache相比,PRAM寫次數(shù)下降13%。
【作者單位】： 杭州電子科技大學(xué)通信工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 混合存儲(chǔ)器 PRAM存儲(chǔ)器 SRAM寫緩存 低功耗 寫操作次數(shù) 替換算法
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.61100044) 浙江省科技計(jì)劃資助項(xiàng)目(No.2013C31100)
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 1引言隨著計(jì)算機(jī)系統(tǒng)處理能力的不斷提升,它所需要的主存容量也越來越大,這種趨勢(shì)導(dǎo)致主存系統(tǒng)的能耗在系統(tǒng)總能耗中的占比不斷攀升[1]。例如,在服務(wù)器應(yīng)用領(lǐng)域,主存系統(tǒng)的能耗大約占到系統(tǒng)能耗的40%[2]。造成這種局面的主要原因在于目前主要以DRAM(DynamicRandom Access Memo，

本文編號(hào)：757928