本文關(guān)鍵詞：Flash存儲(chǔ)器中負(fù)壓電荷泵的研究與設(shè)計(jì)

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【摘要】：本文提出了一種適用于單電源,低電壓供電的Flash存儲(chǔ)器的負(fù)壓電荷泵實(shí)現(xiàn)方法.在分析電荷泵工作原理的基礎(chǔ)上,結(jié)合NOR Flash存儲(chǔ)器電路系統(tǒng)對(duì)該負(fù)電壓的要求,提出了用于抑制編程串?dāng)_的負(fù)壓電荷泵電路結(jié)構(gòu),并詳細(xì)分析其工作原理.最后針對(duì)不同工藝角、電源電壓和溫度對(duì)該電路進(jìn)行系統(tǒng)的仿真驗(yàn)證,結(jié)果顯示對(duì)于上述各情形該電荷泵系統(tǒng)均可以在2μs內(nèi)穩(wěn)定輸出-300mV的電壓,達(dá)到設(shè)計(jì)要求.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： Flash存儲(chǔ)器 負(fù)壓產(chǎn)生電路 電荷泵 串?dāng)_
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61521064) 中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室課題基金資助
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【正文快照】： (Key Laboratory of Microelectronic DevicesIntegrated Technology,Institute of Microelectronics,ChineseAcademy of Sciences,Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)1引言Flash存儲(chǔ)器技術(shù)自上世紀(jì)80年代興起,在過(guò)去

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本文編號(hào)：696026