本文關(guān)鍵詞：基于CNFET的單端口三值SRAM單元設(shè)計(jì)

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【摘要】：通過(guò)對(duì)碳納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和多值存儲(chǔ)原理的研究,提出一種基于CNFET的單端口三值SRAM設(shè)計(jì)方案。該方案首先利用碳納米管的多閾值特性設(shè)計(jì)三值反相器,并采用交叉耦合方式實(shí)現(xiàn)三值數(shù)據(jù)的存儲(chǔ);其次結(jié)合讀寫(xiě)共用的單端口方法,減少互連線(xiàn)數(shù)量;然后采用隔離和切斷交叉耦合技術(shù),增強(qiáng)三值數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的穩(wěn)定性;最后通過(guò)HSPICE仿真,結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的電路邏輯功能正確,且與傳統(tǒng)CMOS設(shè)計(jì)的三值SRAM相比讀寫(xiě)速度提高24%。
【作者單位】： 寧波大學(xué)電路與系統(tǒng)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 碳納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管 單端口 三值SRAM 多值邏輯
【基金】：國(guó)家星火計(jì)劃項(xiàng)目(2014GA701019) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61234002) 浙江省自然科學(xué)基金(Z1111219)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【正文快照】： 0引言隨著CMOS工藝和集成電路技術(shù)的發(fā)展,電路的微型化給人們的生活帶來(lái)極大的方便,同時(shí)對(duì)高集成度和低功耗等特性提出更高的要求。特別是高集成度問(wèn)題,由于特征尺寸縮小使得單位芯片面積上集成的元件數(shù)目急劇增加,集成電路的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入納米量級(jí)。在超大規(guī)模集成電路(Ve，

本文編號(hào)：522039