發(fā)布時間：2017-06-22 12:16

  本文關(guān)鍵詞：一種基于CDMOS工藝的一次性可編程存儲器的研制，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：存儲器簡單來說就是保存信息的部件,它是用來數(shù)據(jù)交換和信息保存的主要媒介,其作用已經(jīng)不可忽視,相應(yīng)地對它的需求也就更進(jìn)一步,不僅需要存儲器的擦寫速度快、能量消耗少、又要能保證有安全規(guī)范的布局。在這其中的嵌入式一次可編程存儲器就是只可以寫入一次程序,它的特點(diǎn)就是不僅靈活簡便、而且使用的價格也不高,所以已成為了電路設(shè)計和現(xiàn)代應(yīng)用的不二之選。非易失性存儲器因?yàn)榧啥雀�、成本低、工作速率快和自身技術(shù)的優(yōu)化,它的成長遠(yuǎn)景愈加重要。其中,OTP(One Time Programmable)是一次性可編程存儲器,它雖然只能在出廠的時候燒錄一次,但是卻用途廣泛,本次就是用來做電路Trim(修調(diào))使用。該一次性可編程存儲器即使被斷電也能保存信息,所以它可以用來為電路應(yīng)用提供各種靈活多樣和價格低廉的解決方案。雖然電路中也會使用熔線來修調(diào),通過熔線的不同接法來精確修調(diào)基準(zhǔn)源的精度。但是在用熔線進(jìn)行修調(diào)電路的過程中經(jīng)常會遇到燒不斷熔線或者是燒壞芯片的問題,還有就是用熔線修調(diào)后封裝引起的電壓偏差問題,所以在這種情況下使用OTP來做Trim電路也就應(yīng)運(yùn)而生。因此本人實(shí)習(xí)所在的單位設(shè)計了這樣的一款芯片,該款芯片是采用HJTC(和艦)0.35um CDMOS 3.3V/5.0V/40V 2P5M P-sub Polycide工藝制作的容量為32bits的OTP存儲器。該芯片是通過外部時鐘數(shù)據(jù)接口控制來進(jìn)行寫操作的。在芯片內(nèi)部可以利用時鐘和復(fù)位信號啟動自動讀取數(shù)據(jù)功能,在讀取數(shù)據(jù)之后關(guān)閉OTP電路以節(jié)省功耗。本次起首說明了OTP存儲器的生長情景及其理論基礎(chǔ),接著討論了存儲單元的工作原理,包含編程、讀寫和擦除的過程。最后在電路設(shè)計方面,詳細(xì)分析了各塊電路的設(shè)計方法和運(yùn)作形式。在存儲器外圍設(shè)備電路的設(shè)計中,有關(guān)鍵的時序控制電路,鎖存器和地址譯碼電路,再核心說明了內(nèi)部OTP模塊,主要集中在高低壓轉(zhuǎn)換電路,直流偏置電路和靈敏放大器模塊,并對它們進(jìn)行仿真與分析。接著此次項(xiàng)目根據(jù)所設(shè)計的電路完成了整體的版圖布局設(shè)計和驗(yàn)證檢查。最后在版圖設(shè)計模塊中對于整體布局布線的介紹以及敏感模塊畫圖過程中注意事項(xiàng)進(jìn)行了分析,對于后續(xù)版圖數(shù)據(jù)、寄生參數(shù)需要通過集成電路設(shè)計軟件來進(jìn)行操作,所以沒有進(jìn)行詳細(xì)說明。最終當(dāng)芯片流片后需要對芯片進(jìn)行測試,看其是否能夠正常工作并且符合設(shè)計參數(shù)。
【關(guān)鍵詞】：存儲器 標(biāo)準(zhǔn)CDMOS工藝 一次性可編程 修調(diào) 版圖
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TP333
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-11
• 符號對照表11-12
• 縮略語對照表12-16
• 第一章 緒論16-24
• 1.1 存儲器的簡介及分類16-19
• 1.2 研究的背景和意義19-21
• 1.3 中外OTP存儲器的生長近況21-23
• 1.4 論文章節(jié)的組成23-24
• 第二章 OTP的基本工作原理24-34
• 2.1 存儲單元的基本結(jié)構(gòu)24-25
• 2.2 工作機(jī)理的研究25-27
• 2.3 存儲單元的工作機(jī)制27-31
• 2.3.1 存儲單元的編程28-29
• 2.3.2 存儲單元的讀取29-30
• 2.3.3 存儲單元的擦除30-31
• 2.4 存儲陣列布局的研究31-32
• 2.5 存儲器的設(shè)計32-33
• 2.6 本章小結(jié)33-34
• 第三章 OTP存儲器的電路模塊分析34-46
• 3.1 OTP器件的結(jié)構(gòu)和制作方法34-35
• 3.2 外圍電路的設(shè)計35-40
• 3.2.1 時序控制電路設(shè)計36-38
• 3.2.2 地址譯碼電路38-40
• 3.3 內(nèi)部OTP核心電路設(shè)計40-45
• 3.3.1 偏置電路41-42
• 3.3.2 靈敏放大器（sense amplifier）42-44
• 3.3.3 高壓電路44
• 3.3.4 存儲陣列電路的設(shè)計44-45
• 3.4 本章總結(jié)45-46
• 第四章 版圖設(shè)計46-60
• 4.1 版圖的整體布局47
• 4.2 布局布線47-48
• 4.2.1 布局48
• 4.2.2 布線48
• 4.3 版圖中的注意點(diǎn)48-50
• 4.3.1 器件版圖匹配49-50
• 4.3.2 金屬的注意點(diǎn)和閂鎖效應(yīng)50
• 4.4 OTP存儲器版圖的設(shè)計50-57
• 4.4.1 靈敏放大器的版圖設(shè)計52-53
• 4.4.2 邏輯控制模塊版圖53-55
• 4.4.3 偏置電路的版圖55
• 4.4.4 電平轉(zhuǎn)換55-57
• 4.5 本章總結(jié)57-60
• 第五章 存儲器的測試和應(yīng)用60-68
• 5.1 芯片的測試61-62
• 5.2 芯片的仿真驗(yàn)證62-64
• 5.3 芯片的實(shí)際應(yīng)用64-68
• 第六章 總結(jié)與展望68-70
• 6.1 論文總結(jié)68-69
• 6.2 論文展望69-70
• 參考文獻(xiàn)70-74
• 致謝74-76
• 作者簡介76-77

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 馬豐璽;楊斌;衛(wèi)洪春;;非易失存儲器NAND Flash及其在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];計算機(jī)技術(shù)與發(fā)展;2007年01期

2 錢敏;黃秋萍;李富華;;數(shù)據(jù)采集控制時序的VHDL/CPLD設(shè)計及應(yīng)用[J];電子工程師;2006年02期

3 劉秀波,王華明;TiAl合金激光熔覆金屬硅化物復(fù)合材料涂層耐磨性和高溫氧化性能研究[J];中國激光;2005年08期

4 馬鑫,何小琦;集成電路內(nèi)引線鍵合工藝材料失效機(jī)制及可靠性[J];電子工藝技術(shù);2001年05期

5 梁駿吾;電子級多晶硅的生產(chǎn)工藝[J];中國工程科學(xué);2000年12期

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 李輝景;某大容量存儲器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)[D];中北大學(xué);2008年

  本文關(guān)鍵詞：一種基于CDMOS工藝的一次性可編程存儲器的研制，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：471823