發(fā)布時間：2017-06-17 14:00

  本文關鍵詞：MLC型NAND閃存的差錯控制編碼技術研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：MLC型NAND閃存由于低成本、大容量等優(yōu)點而得到廣泛應用。多級存儲單元(MLC)技術可用來提高NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲密度(容量)，然而，隨著NAND閃存芯片封裝尺寸的縮小，MLC型NAND閃存的可靠性面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)，無法滿足未來數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的需求，而糾錯編碼是提高閃速存儲系統(tǒng)可靠性的有效途徑。 本文對MLC型NAND閃存的差錯控制編碼技術進行了研究，針對閃存的數(shù)據(jù)表示和錯誤類型，分析并給出了相應的解決方案和糾錯算法，主要內(nèi)容如下： 1.概括了閃存的特性和差錯控制基礎，介紹了NAND閃存存儲單元的編程、擦除操作和理想的閾值電壓分布，并詳細分析了閃存信道噪聲模型及其對閾值電壓分布的影響。 2.為了降低過度編程的風險和電荷泄露的影響，分析了用置換存儲數(shù)據(jù)的等級調制方案，，并給出實現(xiàn)該方案的兩種等級調制格雷碼和用等級表示置換的計數(shù)算法。實驗結果表明平衡等級調制格雷碼的躍變代價比非平衡等級調制格雷碼小。 3.針對閃存系統(tǒng)級的錯誤，分析了存儲單元的非均勻存儲感知方案和計算對數(shù)似然率的數(shù)學模型，并給出了感知電壓和LLR的計算結果；針對MLC型NAND閃存特有的錯誤，給出了有限強度錯誤奇偶校驗算法和雙向有限強度糾錯算法。仿真結果表明雙向有限強度糾錯算法的糾錯性能優(yōu)于有限強度奇偶校驗算法。
【關鍵詞】：MLC型NAND閃存 等級調制格雷碼 存儲感知 對數(shù)似然率 有限強度錯誤
【學位授予單位】：西安電子科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2014
【分類號】：TP333
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 緒論7-13
• 1.1 課題背景及面臨的問題7-8
• 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀8-12
• 1.2.1 針對塊刪除特性的閃存編碼方案9-11
• 1.2.2 系統(tǒng)級閃存差錯控制編碼技術11-12
• 1.3 研究意義及應用前景12
• 1.4 本文主要工作和內(nèi)容安排12-13
• 第二章 NAND 閃存基礎和噪聲信道模型13-21
• 2.1 閃存特性13-17
• 2.1.1 閃存的類型13-14
• 2.1.2 NAND 閃存的結構14-16
• 2.1.3 NAND 閃存的操作模型16-17
• 2.2 NAND 閃存的信道模型和干擾源17-19
• 2.2.1 單元間干擾17-18
• 2.2.2 PE 循環(huán)的影響18
• 2.2.3 MLC 型 NAND 閃存信道模型18-19
• 2.3 NAND 閃存的差錯控制編碼技術基礎19-20
• 2.4 本章小結20-21
• 第三章 MLC 型 NAND 閃存的等級調制方案21-31
• 3.1 等級調制方案21-22
• 3.2 等級調制格雷碼22-25
• 3.3 平衡的等級調制格雷碼25-28
• 3.3.1 平衡等級調制格雷碼的定義和構造25-26
• 3.3.2 用等級表示置換26-28
• 3.4 實驗結果及分析28-30
• 3.5 本章小結30-31
• 第四章 MLC 型 NAND 閃存的差錯控制31-51
• 4.1 NAND 閃存的錯誤類型31-32
• 4.2 系統(tǒng)級的差錯控制32-39
• 4.2.1 閃存單元的存儲感知32-34
• 4.2.2 軟判決 LLR 的計算方法34-37
• 4.2.3 計算結果及分析37-39
• 4.3 NAND 閃存特有錯誤的差錯控制39-49
• 4.3.1 利用奇偶校驗碼糾正有限強度錯誤39-43
• 4.3.2 雙向有限強度糾錯算法43-47
• 4.3.3 仿真結果及分析47-49
• 4.4 本章小結49-51
• 結束語51-53
• 致謝53-55
• 參考文獻55-61
• 攻讀碩士期間完成的論文和參與的科研工作61-62

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 韓可;鄧中亮;黃建明;;高速層進式Nand Flash差錯控制編碼[J];北京郵電大學學報;2010年03期

2 林倩;;Flash閃存技術淺析[J];產(chǎn)業(yè)與科技論壇;2007年09期

  本文關鍵詞：MLC型NAND閃存的差錯控制編碼技術研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：458467