本文關(guān)鍵詞：抗輻射SRAM測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：本文搭建了一種測(cè)試SRAM芯片耐電離輻射能力的系統(tǒng)。該系統(tǒng)可確定SRAM芯片在輻射環(huán)境下的最大抗總劑量率,也可為評(píng)價(jià)SRAM芯片的單粒子效應(yīng)敏感性提供數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)支持遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)傳輸,可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)sram芯片的功耗,也可實(shí)時(shí)判斷sram芯片讀寫功能正確與否。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所;
【關(guān)鍵詞】： SRAM 抗輻射 BW FPGA
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 1引言隨著信息技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)于電子系統(tǒng)的微電子器件,除了一般的高可靠性要求外,部分軍事電子系統(tǒng)或航空航天電子系統(tǒng)不可避免地還需要具有抗輻射能力。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器大家族的主要成員,是數(shù)字處理、信息處理、自動(dòng)控制設(shè)備中不可缺少的部件。隨

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本文編號(hào)：451590