本文關(guān)鍵詞：FPGA配置片反熔絲PROMs加速器地面單粒子效應(yīng)特性研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：針對(duì)0.13μm CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)體硅外延工藝下FPGA(Field Programmable Gate Arrays)配置片反熔絲PROM(Programmable-Read-Only-Memory)進(jìn)行了單粒子效應(yīng)(Single Event Effects SEEs)的加速器地面模擬試驗(yàn)研究。以PROM的存儲(chǔ)容量、數(shù)據(jù)類型和工藝差異性為研究變量,考核與驗(yàn)證其在不同種類和能量粒子入射的系列性加速器地面SEEs模擬試驗(yàn)。研究結(jié)果表明,相對(duì)于8 Mbits PROM而言,空片16 Mbits PROM抗輻射性能最優(yōu),且從翻轉(zhuǎn)飽和截面上說,16 Mbits的PROM具備更高的可靠性,優(yōu)于國(guó)外同系列的芯片類型,試驗(yàn)用PROM芯片的單粒子鎖定閾值99.0 Me V·cm2/mg。另一方面,研究0.13μm CMOS普通與深阱工藝技術(shù)下PROM芯片單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)異同性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,在高LET(Linear Energy Transfer)處的兩者抗輻射性能并無明顯變化,但是低LET處(LET翻轉(zhuǎn)閾值)的加固效果較為明顯,即抗輻射技術(shù)能力主要體現(xiàn)在LET翻轉(zhuǎn)閾值的提升而非翻轉(zhuǎn)截面的減小。
【作者單位】： 深圳市國(guó)微電子有限公司研究院;
【關(guān)鍵詞】： 重離子 反熔絲PROM 單粒子鎖定 單粒子翻轉(zhuǎn)
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 1引言近年來,可重置現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(Field Pro-grammable Gate Arrays,FPGA)以其優(yōu)良的性能在空間科學(xué)和航天航空領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用,而可編程只讀性存儲(chǔ)器(Programmable-Read-Only-Memory,PROM)作為數(shù)據(jù)刷新配置芯片在空間應(yīng)用可靠性上越來越受到關(guān)注。例如,早期XQ1701

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  本文關(guān)鍵詞：FPGA配置片反熔絲PROMs加速器地面單粒子效應(yīng)特性研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：451115