本文關(guān)鍵詞：MTM非晶硅反熔絲導(dǎo)通電阻，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：分析了現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)和可編程存儲器(PROM)中廣泛使用的MTM(metal-to-metal)反熔絲結(jié)構(gòu),測量了決定FPGA和PROM傳輸延遲的反熔絲編程后導(dǎo)通電阻,給出了編程電流對導(dǎo)通電阻的決定規(guī)律.結(jié)合MTM非晶硅反熔絲的特征電壓模型,確定了TiN/α-Si/TiN結(jié)構(gòu)反熔絲的特征電壓值.對大量樣品的實際測量結(jié)果,并且對實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,實驗結(jié)果表明,實驗特征電壓值接近模型理論值,可通過控制編程電流對編程后電阻的進(jìn)行調(diào)控.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所;
【關(guān)鍵詞】： 電流編程 導(dǎo)通電阻 MTM 非晶硅 反熔絲
【分類號】：TN791;TP333
【正文快照】： 1引言反熔絲是一種非常重要的可編程互連單元.MTM(metal-to-metal)反熔絲已被廣泛地應(yīng)用于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)和可編程存儲器(PROM)中[1-2].在具體集成電路中,反熔絲單元位于頂層金屬N層和N-1層金屬之間,反熔絲在編程之前是處于關(guān)斷狀態(tài)的,通過編程電流對反熔絲進(jìn)行編程,

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