65納米CMOS低功耗抗輻射加固SRAM設(shè)計(jì)研究
【文章頁(yè)數(shù)】:72 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2“福布斯-土壤”火星探測(cè)器故障的關(guān)鍵器件Fig1.2Thekeycomponentsof‘Phobos-Grunt’marsprobefailures
第1章緒論聯(lián)絡(luò),稍后地面望遠(yuǎn)鏡觀測(cè)到該衛(wèi)星附近出現(xiàn)若干碎片,而后的分析報(bào)告顯次事故的主要原因亦是單粒子效應(yīng)[8]。2016年,美國(guó)國(guó)家大氣海洋局(NOA對(duì)所運(yùn)營(yíng)的太陽(yáng)同步軌道(高度824km)S-NPP衛(wèi)星的紅外交叉跟蹤探空儀運(yùn)行發(fā)生的10次“復(fù)位”現(xiàn)象,組織衛(wèi)星....
圖1.5CMOS器件(a)和SOI器件(b)電荷收集體積對(duì)比
第1章緒論藝級(jí)加固技術(shù)藝級(jí)加固技術(shù)是指在集成電路的制造過(guò)程中,采用特殊的材料和單粒子效應(yīng)所導(dǎo)致的軟錯(cuò)誤對(duì)器件的影響。SOI(SiliconOnInsula是一種有效的工藝級(jí)加固方法。通過(guò)在頂層硅和襯底硅之間增加離,從而大大的降低了電荷的收集量,從單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理圖....
圖1.6版圖級(jí)加固技術(shù)Fig1.6Layoutlevelhardenedtechnology
圖1.6版圖級(jí)加固技術(shù)Fig1.6Layoutlevelhardenedtechnology.4電路級(jí)加固技術(shù)系統(tǒng)級(jí)加固技術(shù)一方面會(huì)帶來(lái)更加復(fù)雜的冗余電路結(jié)構(gòu),另一方面又會(huì)產(chǎn)的功耗;工藝級(jí)加固技術(shù)不僅加大了工藝難度,同時(shí)也會(huì)帶來(lái)更高的加固費(fèi)用高昂;而版圖級(jí)加固技術(shù)....
圖2.1空間輻射環(huán)境Fig2.1Spaceradiationenvironment
章主要介紹了兩個(gè)方面的內(nèi)容,第一部分介紹了復(fù)雜的空間輻照環(huán)境射帶、銀河宇宙射線、太陽(yáng)宇宙射線等,第二部分介紹了由輻射環(huán)空間輻射效應(yīng),包括總劑量輻射效應(yīng)、中子輻射效應(yīng)、瞬時(shí)輻射效應(yīng)。其中,著重介紹了單粒子效應(yīng),包括其發(fā)生的機(jī)理、分類和對(duì)射環(huán)境響半導(dǎo)體材料的輻射環(huán)境是多樣而復(fù)雜的,有....
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