隨著CMOS制造工藝的不斷進(jìn)步以及集成電路技術(shù)的迅猛發(fā)展,使得SoC系統(tǒng)廣泛運(yùn)用于網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)、衛(wèi)星技術(shù)、無線傳感技術(shù)等多個(gè)領(lǐng)域。在集成電路工藝尺寸不斷縮小、集成度逐步提高的背景下,性能不斷提升的同時(shí),也對(duì)SoC系統(tǒng)的低功耗提出了更高的要求。而SRAM由于其不可或缺性,在諸多SoC系統(tǒng)所用的存儲(chǔ)芯片中占據(jù)了大約70%以上的比例,其功耗的大小將會(huì)直接影響到整個(gè)SoC芯片在功耗方面的表現(xiàn)。因此,通過電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)降低SRAM單元的功耗變得愈加重要。同時(shí),在SRAM存儲(chǔ)單元中,當(dāng)輻射粒子直接轟擊存儲(chǔ)單元,會(huì)使得存儲(chǔ)單元的邏輯值直接翻轉(zhuǎn),即發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)現(xiàn)象,從而使電路發(fā)生軟錯(cuò)誤,故需要對(duì)傳統(tǒng)的SRAM存儲(chǔ)單元進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì),以應(yīng)對(duì)其越來越復(fù)雜嚴(yán)苛的工作環(huán)境。本文詳細(xì)介紹了單粒子效應(yīng)的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí),包括相關(guān)概念以及產(chǎn)生機(jī)理。闡述了SRAM單元的電路級(jí)加固方案以及相關(guān)低功耗設(shè)計(jì)方法,針對(duì)之前加固SRAM設(shè)計(jì)的不足,提出了一種新型抗輻射加固SRAM單元。本文歸納總結(jié)了其他工作所涉及的一種抗輻照加固SRAM單元設(shè)計(jì)的方法,即基于穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的抗輻射加固SRAM單元設(shè)計(jì)思路。并在此基礎(chǔ)上,提...

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.2“福布斯-土壤”火星探測(cè)器故障的關(guān)鍵器件Fig1.2Thekeycomponentsof‘Phobos-Grunt’marsprobefailures

第1章緒論聯(lián)絡(luò)，稍后地面望遠(yuǎn)鏡觀測(cè)到該衛(wèi)星附近出現(xiàn)若干碎片，而后的分析報(bào)告顯次事故的主要原因亦是單粒子效應(yīng)[8]。2016年，美國國家大氣海洋局（NOA對(duì)所運(yùn)營的太陽同步軌道（高度824km）S-NPP衛(wèi)星的紅外交叉跟蹤探空儀運(yùn)行發(fā)生的10次“復(fù)位”現(xiàn)象，組織衛(wèi)星....

圖1.5CMOS器件（a）和SOI器件（b）電荷收集體積對(duì)比

第1章緒論藝級(jí)加固技術(shù)藝級(jí)加固技術(shù)是指在集成電路的制造過程中，采用特殊的材料和單粒子效應(yīng)所導(dǎo)致的軟錯(cuò)誤對(duì)器件的影響。SOI（SiliconOnInsula是一種有效的工藝級(jí)加固方法。通過在頂層硅和襯底硅之間增加離，從而大大的降低了電荷的收集量，從單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理圖....

圖1.6版圖級(jí)加固技術(shù)Fig1.6Layoutlevelhardenedtechnology

圖1.6版圖級(jí)加固技術(shù)Fig1.6Layoutlevelhardenedtechnology.4電路級(jí)加固技術(shù)系統(tǒng)級(jí)加固技術(shù)一方面會(huì)帶來更加復(fù)雜的冗余電路結(jié)構(gòu)，另一方面又會(huì)產(chǎn)的功耗；工藝級(jí)加固技術(shù)不僅加大了工藝難度，同時(shí)也會(huì)帶來更高的加固費(fèi)用高昂；而版圖級(jí)加固技術(shù)....

圖2.1空間輻射環(huán)境Fig2.1Spaceradiationenvironment

章主要介紹了兩個(gè)方面的內(nèi)容，第一部分介紹了復(fù)雜的空間輻照環(huán)境射帶、銀河宇宙射線、太陽宇宙射線等，第二部分介紹了由輻射環(huán)空間輻射效應(yīng)，包括總劑量輻射效應(yīng)、中子輻射效應(yīng)、瞬時(shí)輻射效應(yīng)。其中，著重介紹了單粒子效應(yīng)，包括其發(fā)生的機(jī)理、分類和對(duì)射環(huán)境響半導(dǎo)體材料的輻射環(huán)境是多樣而復(fù)雜的，有....

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