隨著嵌入式和存儲技術(shù)的飛速發(fā)展,NAND閃存被廣泛應(yīng)用到各種電子設(shè)備中成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)。和機(jī)械磁盤相比較,固態(tài)硬盤因采用了閃存作為存儲介質(zhì),具有非易失性、體積小、能耗低等特點(diǎn)。由于閃存塊都有擦除次數(shù)上限的限制,一旦閃存塊達(dá)到了擦除次數(shù)上限,該塊存儲的數(shù)據(jù)就會不可靠。因此,需要借助相應(yīng)的文件管理系統(tǒng)來提升固態(tài)硬盤性能。采用磨損均衡算法可以有效地均衡閃存塊的擦除次數(shù),使得所有的閃存塊同時到達(dá)擦除次數(shù)上限,從而提升固態(tài)硬盤的使用壽命。但是現(xiàn)有性能較好的磨損均衡算法普遍存在損耗較大的問題,無法良好地適應(yīng)冷數(shù)據(jù)較多的工作環(huán)境,后期寫入放大較大,影響了固態(tài)硬盤的性能,降低了閃存的使用壽命。針對該問題,磨損均衡算法需要減少內(nèi)部數(shù)據(jù)的遷移次數(shù)。本文以傳統(tǒng)磨損均衡算法為研究基礎(chǔ),主要對閃存的特性進(jìn)行研究,并對觸發(fā)磨損均衡機(jī)制的閾值和候選塊選取的條件進(jìn)行優(yōu)化,仿真比較在不同的冷熱數(shù)據(jù)占比環(huán)境下的兩種算法性能。主要的研究內(nèi)容和創(chuàng)新點(diǎn)如下:(1)研究傳統(tǒng)磨損均衡算法的設(shè)計(jì)原理并分析其利弊,著重對冷熱數(shù)據(jù)識別和數(shù)據(jù)遷移條件進(jìn)行研究,詳細(xì)分析算法的性能和壽命計(jì)算公式,為算法性能比較提供理論依據(jù)。...

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖4-3不同ECC下的誤碼率

廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文誤碼率測試試SSD在讀狀態(tài)下的誤碼率，對操作進(jìn)行設(shè)置，對邏輯地址為Chip0中作為起始塊的100個塊進(jìn)行操作，即在Chip0下的Block0~Block64制），分別測出在不同ECC下的誤碼率，這里的糾錯能力還是ECC1....

圖4-8全新SSD壞塊數(shù)目情況

出廠壞塊達(dá)到塊擦除上限的新增壞塊編程出錯被系統(tǒng)誤判的壞塊圖4-7閃存壞塊分類Figure4-7Classificationofbadblocksofflashmemory在閃存分析儀中，可以對異常掉電的壞塊進(jìn)行擦除，由于這類塊是被系統(tǒng)誤判塊的，所以在擦除后可以....

圖4-9SSD壞塊內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)

針對新增壞塊的判定方法塊判斷是用過廠商對閃存頁特定位置標(biāo)記，一般使用FFh來標(biāo)記，一個塊或者是系統(tǒng)判別為壞塊的時候，系統(tǒng)會將該塊的標(biāo)記進(jìn)行清除。塊標(biāo)記的利用閃存塊中第一個頁或者最后一個頁進(jìn)行管理，SLC和MLC標(biāo)記位置的差異。例如，一個SLC容量較小的page，B....

圖4-10SSD壞塊數(shù)據(jù)擦除Figure4-10ErasedatainsidethebadblockofSSD

廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文出來，如圖4-9所示。從圖中圈出來的地方可以看到，由于擦除次數(shù)到達(dá)中存儲的數(shù)據(jù)是一種不為0的數(shù)，由于看到這種結(jié)果，為了繼續(xù)研究壞塊式，對其進(jìn)行擦除處理，研究閃存壞塊的數(shù)據(jù)是否可以被擦除掉，最后證儲數(shù)據(jù)是可以被擦除，結(jié)果在如圖4-10中看到。但是....

本文編號：3941973