電壓調(diào)控磁各向異性磁隧道結(jié)(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)作為磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(magnetic random access memory, MRAM)的核心器件,具有讀寫速度快、功耗低、與CMOS工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已得到國內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注.然而隨著VCMA-MTJ尺寸不斷縮小、MRAM存儲(chǔ)容量不斷增大,工藝偏差對MTJ性能的影響變得越來越顯著,甚至?xí)餠CMA-MTJ電路的讀寫錯(cuò)誤.本文在充分考慮磁控濺射薄膜生長工藝中自由層厚度偏差(γ_tf)、氧化勢壘層厚度偏差(γ_tox)以及離子束刻蝕工藝中由側(cè)壁再沉積層引入的刻蝕工藝穩(wěn)定因子(α)偏差影響的情況下,給出了基于工藝偏差的VCMA-MTJ電學(xué)模型,并將該模型應(yīng)用到VCMA-MTJ讀寫電路中,研究了工藝偏差對上述電路讀寫錯(cuò)誤率的影響.結(jié)果表明:當(dāng)γ_tf≥13%, γ_tox≥11%時(shí), VCMA-MTJ將無法實(shí)現(xiàn)磁化狀態(tài)的有效切換;當(dāng)...

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本文編號(hào)：3906453