利用溶液法制備出平整致密的ZnO多晶薄膜,微結(jié)構(gòu)觀測分析表明ZnO晶粒為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),平均粒徑約為23.7 nm,由薄膜樣品的紫外-可見光吸收譜計算出其光學(xué)帶隙寬度約為3.3 eV. Ag/ZnO/ITO三明治結(jié)構(gòu)單元的電流-電壓曲線呈現(xiàn)出穩(wěn)定的雙極性電阻開關(guān)特性:置/復(fù)位電壓小于±0.4 V,在-0.1 V的讀取電壓下可獲得10³–10⁴的高/低電阻值比,明顯優(yōu)于類似溶液法制備ZnO薄膜的電阻開關(guān)性能.然而,在周期性電場力作用下,ZnO多晶薄膜內(nèi)定向漂移的自由氧離子逐漸被晶格氧空位捕獲成為不可移動的晶格氧原子.膜內(nèi)氧空位缺陷濃度的逐漸降低導(dǎo)致膜內(nèi)氧空位導(dǎo)電細(xì)絲通道越來越細(xì),器件無法長時間維持穩(wěn)定的低電阻態(tài).因此,隨著循環(huán)周期數(shù)的增加,器件的低電阻態(tài)逐漸向高電阻態(tài)衰退,直至電阻開關(guān)窗口消失.

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【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗和方法
    2.1 襯底的清洗
    2.2 ZnO薄膜的制備
    2.3 Ag金屬點(diǎn)電極的制備
    2.4 ZnO薄膜的微結(jié)構(gòu)與電學(xué)性質(zhì)表征
3 結(jié)果和討論
    3.1 ZnO薄膜的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)帶隙
    3.2 Ag/ZnO/ITO電阻開關(guān)存儲單元的電流-電壓特性
    3.3 Ag/ZnO/ITO存儲單元電阻開關(guān)物理機(jī)制和器件耐受性衰退機(jī)理探究
4 結(jié)論



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