在一些金屬／絕緣體／金屬的三明治結(jié)構(gòu)組成的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)中,人們只需通過不同電場脈沖就能控制器件的非揮發(fā)性狀態(tài)(高阻態(tài)或者低阻態(tài))。RRAM器件具有結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、速度高、集成密度高等優(yōu)良性能,受到越來越多的關(guān)注,被認(rèn)為是下一代新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的強(qiáng)有力候選者之一。然而,目前這類器件因電阻開關(guān)存儲(chǔ)機(jī)制不夠清晰,以及性能不夠穩(wěn)定等原因,還無法得到大規(guī)模的應(yīng)用。因此,繼續(xù)研究電阻開關(guān)存儲(chǔ)機(jī)制以尋找高性能RRAM器件材料已成為當(dāng)前重要的研究課題之一。 過渡金屬氧化物材料往往是強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子系統(tǒng),有著豐富而奇特的物理性質(zhì),是高性能RRAM研究中重要的選擇材料之一。本論文從不同角度研究了龐磁電阻錳氧化物和摻雜鐵電氧化物的電阻開關(guān)性能及其產(chǎn)生機(jī)制,具體的內(nèi)容安排如下： 第一章我們簡述了RRAM研究的背景和最新進(jìn)展。首先簡述了幾種基于電阻的新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,然后重點(diǎn)介紹了RRAM的工作方式、結(jié)構(gòu)與集成、物理機(jī)制、以及材料體系,最后簡要介紹了鈣鈦礦錳氧化物與電阻開關(guān)效應(yīng)相關(guān)的最新物理進(jìn)展。 第二章研究了錳氧化物L(fēng)a0.5Ca0.5Mn0.95Fe0.05O3和La0.225Pr0.4Ca...

【文章頁數(shù)】：111 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

圖1.1所示，改變磁化方向就是改變上自由層(也稱上磁鐵電

圖1.2鐵電性和磁性共存的多鐵性材料及其中鐵電性和磁性的相互調(diào)控122]

圖1.5相變材料的晶態(tài)-非晶態(tài)轉(zhuǎn)變[2]

圖1.6RRAM存褚畢元`/}真黛磁司Z6J

本文編號(hào)：3889144