相變存儲(chǔ)器是利用脈沖電流的熱效應(yīng)使其記錄層發(fā)生具有巨大阻值差異的可逆結(jié)構(gòu)相變來記錄和擦除數(shù)據(jù)。它具有非易失性、快擦寫速度、高可靠性、低功耗、長(zhǎng)壽命、制作工藝簡(jiǎn)單和與CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),被視作為目前最有可能成為下一代存儲(chǔ)器的主流產(chǎn)品。近幾年相變存儲(chǔ)器在記錄材料、微制造工藝和器件性能上取得了迅猛的發(fā)展,然而關(guān)于相變存儲(chǔ)器的測(cè)試技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)卻沒有得到足夠的重視,目前國(guó)內(nèi)外也沒有一個(gè)完整的相變存儲(chǔ)器測(cè)試方法�；谶@一點(diǎn),本文著重全面描述和比較相變存儲(chǔ)單元的基本電性能表征和測(cè)試方法,并詳細(xì)地闡述測(cè)試系統(tǒng)的搭建、相變存儲(chǔ)芯片的封裝技術(shù)以及芯片功能測(cè)試等內(nèi)容。 表征相變存儲(chǔ)器單元電特性的主要參數(shù)包括晶態(tài)電阻、非晶態(tài)電阻、直流I-V特性、脈沖I-V特性、寫脈沖與非晶化程度的關(guān)系、擦脈沖與晶化程度的關(guān)系、數(shù)據(jù)保持力以及擦寫壽命等。選擇高性能的探針臺(tái)、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀、高頻示波器和DUT等配置搭建一個(gè)多功能的高精度的相變存儲(chǔ)單元電性能測(cè)試系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)對(duì)上述表征參數(shù)的測(cè)量與分析,并分析了一些因素對(duì)相變存儲(chǔ)單元電特性的影響。 相變存儲(chǔ)器芯片基本功能的測(cè)試主要包括:外圍電路(MOS管、寫擦電路及讀電路等)和存儲(chǔ)...

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

圖1-1非晶態(tài)與晶態(tài)的形貌

圖1-3Numonyx公司推出的相變存儲(chǔ)芯片

圖2-1相變存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)

圖2-2阻抗不匹配導(dǎo)致的過沖與負(fù)沖現(xiàn)象消除脈沖過沖和負(fù)沖的方法是在待測(cè)器件兩端并聯(lián)50ohm電阻進(jìn)行阻抗匹配，施

本文編號(hào)：3882705