信息技術(shù)的快速發(fā)展要求電存儲器件具有非易失性、存儲容量高、響應(yīng)速度快和制造成本低等特性。聚合物存儲器具有運(yùn)行速度快、存儲密度高、功耗低、結(jié)構(gòu)靈活、制造工藝簡單、成本低等特點(diǎn),成為新一代存儲器件重要發(fā)展方向。由于碳納米管的碳原子以s p²雜化方式成鍵,每個(gè)碳原子以σ鍵與其它三個(gè)碳原子相連接,π電子與其它碳原子的π電子形成離域π鍵,使其具有獨(dú)特的電學(xué)特性。近年,碳納米管/聚合物復(fù)合材料存儲器件引起人們廣泛關(guān)注,開展相關(guān)研究,取得顯著進(jìn)展。通常,高表面能的碳納米管易于團(tuán)聚,且與聚合物相容性差,導(dǎo)致碳納米管摻雜在聚合物基體中分散性較差,改善碳納米管在聚合物中的分散性,是聚合物基存儲器件的重要研究課題之一。目前,普通碳納米管/聚合物基存儲器件存儲形式相對單一、開關(guān)電流比小。為了提高存儲器件開關(guān)電流比和電流穩(wěn)定性,實(shí)現(xiàn)多種形式存儲,本文通過官能團(tuán)修飾及紡絲炭化處理碳納米管表面,制備不同表面態(tài)碳納米管/聚酰亞胺基復(fù)合薄膜及電學(xué)存儲器件,研究多壁碳納米管(MWNTs)表面態(tài)對聚酰亞胺基復(fù)合薄膜微觀結(jié)構(gòu)及其存儲器件阻變特性影響。采用原位聚合法制備不同組分摻雜的MWNTs/PI、端基...

【文章頁數(shù)】：149 頁

【學(xué)位級別】：博士

本文編號：3881703