采用NAND Flash作為存儲介質的固態(tài)盤,比傳統(tǒng)的存儲設備更能承受溫度的變化、機械的振動和沖擊,可靠性更高,易于實現(xiàn)高速度大容量的存儲,日趨成為存儲器的主流。 由于NAND Flash接口相對較為復雜,需要通過專用的控制器對NAND Flash進行讀寫控制等操作。通過設計一個軟硬件結合NAND Flash控制器,使用軟件實現(xiàn)命令和地址發(fā)送,而邏輯時序及數(shù)據(jù)傳輸則由硬件完成,從而將復雜的NAND Flash接口轉化為簡單通用的標準總線接口,實現(xiàn)了總線與NAND Flash的橋接;并通過研究Flash陣列的架構,實現(xiàn)了多通道的NAND Flash控制器。 多通道的NAND Flash控制器中,多個通道可以并發(fā)工作,每個通道內(nèi)部使用流水線操作。在通道內(nèi)部,當一片F(xiàn)lash進行器件編程時,對其他Flash芯片執(zhí)行讀寫操作,在時間上實現(xiàn)通道內(nèi)數(shù)據(jù)總線的復用,縮短Flash陣列的等效操作時間,最大限度的減少單個芯片占用總線時間,使得整體Flash陣列讀寫速度得到提升。同時在通道間,使用并行傳輸技術,各通道之間相互獨立、互不影響,多個通道并發(fā)執(zhí)行讀寫操作,從而實現(xiàn)了速度和容量的提升。 在實際的仿...

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 固態(tài)硬盤的特點和分類
    1.2 基于DRAM 的固態(tài)盤存儲
    1.3 基于Flash 的固態(tài)盤存儲
    1.4 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.5 本文研究的主要內(nèi)容
    1.6 本文的組織結構
2 NAND Flash 技術
    2.1 典型NAND Flash 芯片
    2.2 NAND Flash 的操作時序
    2.3 NAND Flash 的數(shù)據(jù)校驗
    2.4 本章小結
3 NAND Flash 控制器的設計
    3.1 設計開發(fā)平臺
    3.2 控制器的軟硬件劃分
    3.3 NAND Flash 控制器的模塊設計
    3.4 本章小結
4 多通道存儲陣列
    4.1 NAND Flash 陣列的操作
    4.2 多通道Flash 陣列架構分析
    4.3 多通道Flash 陣列架構
    4.4 本章小結
5 仿真與測試
    5.1 多通道Flash 陣列架構的仿真
    5.2 NAND Flash 單個die 的測試
    5.3 多通道Flash 陣列的測試
    5.4 本章小結
6 全文總結與展望
致謝
參考文獻



本文編號：3841347