本論文主要開展了三個方面的研究：設(shè)計能減小寫電流和簡化制造工藝的CRAM新型結(jié)構(gòu)存儲元；構(gòu)建反映CRAM存儲元阻值變換規(guī)律的存儲元電路模型；設(shè)計能順利進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲識別的完整的CRAM存儲器驅(qū)動電路。 首次從考察存儲元與外圍電路熱兼容的角度，提出具有“相變層+加熱層+相變層”結(jié)構(gòu)的“工”形存儲元，此結(jié)構(gòu)由于使用較小尺寸加熱層的兩端同時加熱相變材料，一方面，通過對設(shè)計出來的存儲元進(jìn)行電流加熱使其相變的情況下進(jìn)行溫度分布計算模擬得知，進(jìn)一步減小了存儲元的復(fù)位寫電流；另一方面，此結(jié)構(gòu)下晶體管能承受在存儲元高溫相變時帶來的溫度影響，順利實現(xiàn)了存儲元與外圍電路的熱兼容。 在數(shù)據(jù)信息的控制下選擇代表兩種存儲狀態(tài)的電阻來簡單地實現(xiàn)了對存儲元的電路模擬，實現(xiàn)了寫信號下存儲元電路模型發(fā)生預(yù)期的阻值變換，為存儲器的驅(qū)動電路設(shè)計提供可以使用的存儲元電路模型。此存儲元電路模型為本文的驅(qū)動電路設(shè)計所用，成功地檢測了讀數(shù)據(jù)電路的正確性。 完整地實現(xiàn)CRAM從外部信號接口開始的驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)又分成控制信號模塊、脈寬選擇模塊、讀寫控制模塊、譯碼器與存儲矩陣模塊等分模塊，設(shè)計中，針對不同模塊在存儲器驅(qū)動中的不同功能...

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 CRAM的存儲原理
    1.3 CRAM的研究現(xiàn)狀
    1.4 存在的主要問題
    1.5 本論文主要工作
第2章 CRAM存儲元結(jié)構(gòu)設(shè)計
    2.1 CRAM存儲元結(jié)構(gòu)設(shè)計基礎(chǔ)
    2.2 已改進(jìn)的CRAM結(jié)構(gòu)
    2.3 “工”形CRAM存儲元結(jié)構(gòu)
    2.4 “工”形存儲元熱分布模擬
        2.4.1 計算模型分析
        2.4.2 建立熱傳導(dǎo)方程
        2.4.3 溫度及結(jié)構(gòu)分析
    2.5 本章小結(jié)
第3章 CRAM存儲元電路模型
    3.1 引言
    3.2 模型的建立
        3.2.1 建模工具M(jìn)ultisim
        3.2.2 CRAM存儲元電路建模
        3.2.3 模型修正
    3.3 存儲元電路模型的測試分析
    3.4 本章小結(jié)
第4章 CRAM驅(qū)動電路設(shè)計
    4.1 引言
    4.2 整體功能模塊結(jié)構(gòu)
    4.3 分模塊結(jié)構(gòu)
        4.3.1 控制信號模塊
        4.3.2 脈寬選擇模塊
        4.3.3 讀寫控制模塊
        4.3.4 譯碼器和存儲矩陣模塊
    4.4 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
附錄1 熱分布計算程序
附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間所發(fā)表的論文及專利



本文編號：3807845