本文主要包括“新型動態(tài)隨機存儲器設(shè)計”以及“Zn0納米線／Si異質(zhì)結(jié)的制備及特性研究”這兩個部分。 第一部分主要圍繞“新型動態(tài)隨機存儲器設(shè)計”的主題展開。傳統(tǒng)的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)單元由一個存儲電容器和一個起開關(guān)作用的晶體管構(gòu)成。隨著器件尺寸的縮小,單元儲存電容卻不能過分降低,DRAM面臨成本升高,性能變差的問題。我們根據(jù)省去DRAM單元中外部存儲電容的思路,設(shè)計了一種基于隧穿場效應(yīng)晶體管的新型DRAM單元。通過二維工藝以及器件模擬對新型DRAM單元進行了功能驗證,研究了它的各種操作下的電流情況、讀寫速度、浮柵內(nèi)的電勢變化情況、干擾以及保持特性。通過在存儲器單元結(jié)構(gòu)中引進隧穿場效應(yīng)晶體管,我們可以獲得最快達到2ns的寫入速度。同時該器件的操作電壓相對較低。通過工藝流程以及器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,我們可以實現(xiàn)超過107的讀取電流窗口。此外,器件的工藝和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)單元是相兼容的,更利于器件的集成應(yīng)用。 第二部分主要圍繞“ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)的制備及特性研究”的主題展開。近年來隨著制備技術(shù)的進步,準一維結(jié)構(gòu)的ZnO納米結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出了優(yōu)異的載流子遷移率性能。如果要...

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
目錄
摘要
Abstract
第一章 引言
    1.1 動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)簡介
    1.2 新型DRAM設(shè)計
    1.3 隧穿晶體管簡介
第二章 1T-1D DRAM器件分析模擬
    2.1 1T-1D DRAM的基本結(jié)構(gòu)和工作方式
        2.1.1 1T-1D DRAM的基本結(jié)構(gòu)
        2.1.2 1T-1D DRAM的基本工作原理
    2.2 1T-1D DRAM的功能驗證模擬及分析
    2.3 1T-1D DRAM的電流分析
    2.4 1T-1D DRAM的浮柵電勢變化分析
    2.5 1T-1D DRAM的干擾特性分析
    2.6 1T-1D DRAM的保持特性分析
    2.7 模擬參數(shù)校準
        2.7.1 隧穿模型可靠性驗證
        2.7.2 載流子壽命校準
    2.8 小結(jié)
第三章 ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)實驗制備方法及測試方法介紹
    3.1 引言
    3.2 ZnO納米線生長：水熱法
    3.3 ZnO籽晶層制備：裹液-覆蓋法
    3.4 ZnO籽晶層制備：原子層淀積法
    3.5 樣品表征及測試方法
        3.5.1 X射線衍射分析(XRD)
        3.5.2 掃描電子顯微鏡(SEM)
        3.5.3 電學特性測試
第四章 ZnO納米線的生長與表征
    4.1 引言
    4.2 不同ZnO籽晶層薄膜生長方法的ZnO納米線比較
        4.2.1 采用裹液法生長籽晶層的ZnO納米線
        4.2.2 采用ALD生長籽晶層的ZnO納米線
        4.2.3 籽晶層進行退火對ZnO納米線的影響
    4.3 小結(jié)
第五章 ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)的特性研究
    5.1 ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)的制備
    5.2 ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)的電學特性綜述
    5.3 ZnO納米線/Si異質(zhì)結(jié)的正向電流電壓特性分析
第六章 總結(jié)與展望
參考文獻
攻讀碩士階段發(fā)表論文及專利
致謝



本文編號：3807123