本論文包含鐵電薄膜及鐵電存儲(chǔ)器研究現(xiàn)狀的評論、對鐵電陶瓷的燒結(jié)、BIT薄膜材料的改良、層狀結(jié)構(gòu)鐵電薄膜的制備及材料的晶相結(jié)構(gòu)測試分析以及層狀結(jié)構(gòu)鐵電薄膜界面電特性的研究。主要內(nèi)容如下: 1)用特殊的固態(tài)反應(yīng)燒結(jié)工藝制備了PZT及BNT鐵電陶瓷。通過用XRD及SEM分析了鐵電陶瓷的晶相結(jié)構(gòu),用RT66鐵電測試儀測定了鐵電陶瓷的電滯回線,分析結(jié)果表明,研究表明,采用在800℃預(yù)燒、保溫2小時(shí),1100℃終燒、保溫12 h的燒結(jié)工藝,所得的BNT鐵電陶瓷純度高,致密性好、晶粒均勻,具有良好的鐵電性能。 2)討論了準(zhǔn)分子激光淀積鐵電薄膜的基本原理,研究了準(zhǔn)分子激光淀積多層結(jié)構(gòu)鐵電薄膜的制備工藝,成功地在p-Si(100)基片上淀積了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多層結(jié)構(gòu)鐵電薄膜。研究了鐵電薄膜的晶相結(jié)構(gòu)及表面形貌,測試了這三種鐵電薄膜的電滯回線。結(jié)果表明,所制備的鐵電薄膜具有較優(yōu)的鐵電性能。 3)用脈沖激光淀積方法在硅底片上淀積具有較好的c-軸取向的釹置換鉍的Bi4-xNdxTi₃O₁₂薄膜,研究了不同的釹摻量及淀積工藝對BNT薄...

【文章頁數(shù)】：123 頁

【學(xué)位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 鐵電材料及鐵電薄膜概況
    1.3 鐵電存儲(chǔ)器的研究發(fā)展慨況
    1.4 本文選題的依據(jù)及研究的主要內(nèi)容
2 鐵電陶瓷靶的燒結(jié)及其性能的研究
    2.1 引言
    2.2 PZT 鐵電陶瓷的燒結(jié)
    2.3 鈦酸鉍基陶瓷靶材的燒結(jié)
    2.4 本章小結(jié)
3 脈沖激光淀積工藝及多層結(jié)構(gòu)鐵電薄膜的制備
    3.1 引言
    3.2 多層鐵電薄膜結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)思想
    3.3 多層結(jié)構(gòu)鐵電薄膜的制備
    3.4 本章小結(jié)
4 BI_4-XND_XT1₃O₁₂鐵電薄膜電容的制備及特性的研究
    4.1 引言
    4.2 BNT 薄膜的淀積工藝及參數(shù)
    4.3 摻釹量對BNT 鐵電薄膜的微結(jié)構(gòu)及鐵電性能的影響
    4.4 退火溫度對BI_3.20ND_0.80TI₃0₁₂ 薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
    4.5 BI₁₃.20ND_0.80TI₃O(12) 薄膜微結(jié)構(gòu)及性能的研究
    4.6 本章小結(jié)
5 鐵電薄膜I-V 特性的研究及界面電位降的計(jì)算
    5.1 引言
    5.2 極薄鐵電薄膜I-V 特性的研究
    5.3 多層結(jié)構(gòu)鐵電薄膜界面電位降與界面能帶結(jié)構(gòu)的分析
    5.4 修正的經(jīng)驗(yàn)冪定律的建立及界面電位降的計(jì)算
    5.5 利用C-V 特性曲線計(jì)算界面的外電壓降
    5.6 本章小結(jié)
6 鐵電薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的不對稱行為及內(nèi)建電壓的研究
    6.1 引言
    6.2 內(nèi)建電壓的定量分析
    6.3 內(nèi)建電壓與I-V 特性曲線的不對稱的整流特性的研究
    6.4 本章小結(jié)
7 非破壞讀出的AU/BIT/PZT/BIT/P-SI(100)存儲(chǔ)二極管的內(nèi)在條件及存儲(chǔ)器操作方法
    7.1 引言
    7.2 有I-V 回線的AU/BIT/PZT/BIT/P-SI(100)存儲(chǔ)二極管
    7.3 I-V 特性曲線的轉(zhuǎn)變電壓與P-E 回線的矯頑場的關(guān)系
    7.4 存儲(chǔ)器波形
    7.5 本章小結(jié)
總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄 作者在攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的論文



本文編號：3803072