發(fā)布時間：2023-04-27 21:11

　　本論文包含鐵電薄膜及鐵電存儲器研究現(xiàn)狀的評論、對鐵電陶瓷的燒結、BIT薄膜材料的改良、層狀結構鐵電薄膜的制備及材料的晶相結構測試分析以及層狀結構鐵電薄膜界面電特性的研究。主要內容如下: 1)用特殊的固態(tài)反應燒結工藝制備了PZT及BNT鐵電陶瓷。通過用XRD及SEM分析了鐵電陶瓷的晶相結構,用RT66鐵電測試儀測定了鐵電陶瓷的電滯回線,分析結果表明,研究表明,采用在800℃預燒、保溫2小時,1100℃終燒、保溫12 h的燒結工藝,所得的BNT鐵電陶瓷純度高,致密性好、晶粒均勻,具有良好的鐵電性能。 2)討論了準分子激光淀積鐵電薄膜的基本原理,研究了準分子激光淀積多層結構鐵電薄膜的制備工藝,成功地在p-Si(100)基片上淀積了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多層結構鐵電薄膜。研究了鐵電薄膜的晶相結構及表面形貌,測試了這三種鐵電薄膜的電滯回線。結果表明,所制備的鐵電薄膜具有較優(yōu)的鐵電性能。 3)用脈沖激光淀積方法在硅底片上淀積具有較好的c-軸取向的釹置換鉍的Bi4-xNdxTi₃O₁₂薄膜,研究了不同的釹摻量及淀積工藝對BNT薄...

【文章頁數(shù)】：123 頁

【學位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 鐵電材料及鐵電薄膜概況
    1.3 鐵電存儲器的研究發(fā)展慨況
    1.4 本文選題的依據(jù)及研究的主要內容
2 鐵電陶瓷靶的燒結及其性能的研究
    2.1 引言
    2.2 PZT 鐵電陶瓷的燒結
    2.3 鈦酸鉍基陶瓷靶材的燒結
    2.4 本章小結
3 脈沖激光淀積工藝及多層結構鐵電薄膜的制備
    3.1 引言
    3.2 多層鐵電薄膜結構的設計思想
    3.3 多層結構鐵電薄膜的制備
    3.4 本章小結
4 BI_4-XND_XT1₃O₁₂鐵電薄膜電容的制備及特性的研究
    4.1 引言
    4.2 BNT 薄膜的淀積工藝及參數(shù)
    4.3 摻釹量對BNT 鐵電薄膜的微結構及鐵電性能的影響
    4.4 退火溫度對BI_3.20ND_0.80TI₃0₁₂ 薄膜微結構的影響
    4.5 BI₁₃.20ND_0.80TI₃O(12) 薄膜微結構及性能的研究
    4.6 本章小結
5 鐵電薄膜I-V 特性的研究及界面電位降的計算
    5.1 引言
    5.2 極薄鐵電薄膜I-V 特性的研究
    5.3 多層結構鐵電薄膜界面電位降與界面能帶結構的分析
    5.4 修正的經驗冪定律的建立及界面電位降的計算
    5.5 利用C-V 特性曲線計算界面的外電壓降
    5.6 本章小結
6 鐵電薄膜異質結構的不對稱行為及內建電壓的研究
    6.1 引言
    6.2 內建電壓的定量分析
    6.3 內建電壓與I-V 特性曲線的不對稱的整流特性的研究
    6.4 本章小結
7 非破壞讀出的AU/BIT/PZT/BIT/P-SI(100)存儲二極管的內在條件及存儲器操作方法
    7.1 引言
    7.2 有I-V 回線的AU/BIT/PZT/BIT/P-SI(100)存儲二極管
    7.3 I-V 特性曲線的轉變電壓與P-E 回線的矯頑場的關系
    7.4 存儲器波形
    7.5 本章小結
總結
致謝
參考文獻
附錄 作者在攻讀博士學位期間發(fā)表的論文



本文編號：3803072