采用磁控濺射在Si/SiO₂襯底上制備了Pt/Dy₂O₃/Pt阻變器件(RRAM),研究并分析了快速熱退火對Pt/Dy₂O₃/Pt器件阻變特性的影響。通過原子力顯微鏡(AFM)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線光電子能譜分析(XPS)研究了快速熱退火對Dy₂O₃薄膜表面形貌、薄膜結(jié)構(gòu)和Dy、O化學(xué)價態(tài)的影響。通過對不同退火條件下Pt/Dy₂O₃/Pt器件的電學(xué)特性測試,研究了不同退火溫度對器件阻變特性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,退火增加了Pt/Dy₂O₃/Pt器件初始電阻值,增大了器件的開關(guān)比(R_off/R_on);降低了器件的操作電壓提高了器件電阻轉(zhuǎn)變一致性。XPS分析表明退火后薄膜表面氧含量升高,表面氧含量變化為非晶格氧含量的增加。能譜(EDS)掃描結(jié)果表明退火后Dy₂O₃

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 樣品制備
    1.2 測試分析
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號：3773553