發(fā)布時(shí)間：2023-03-25 04:26

　　隨著信息技術(shù)和電子產(chǎn)品微型化的迅速發(fā)展和需要,高速度和高密度柔性透明非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展成為一種必然趨勢(shì)。阻變存儲(chǔ)器(RRAM)因具有存儲(chǔ)密度高、功耗低、讀寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛關(guān)注。通過(guò)石墨烯氧化得到的氧化石墨烯(GO)因含氧官能團(tuán)的存在而呈現(xiàn)半導(dǎo)體性質(zhì),在眾多的阻變材料中,以GO為介質(zhì)層的碳基RRAM器件由于高密度、低能耗業(yè)已成為最有前途的候選材料之一�；谝陨戏治�,本論文以GO為基礎(chǔ),通過(guò)摻入氧化物納米顆粒的方法,研究RRAM器件的阻變性能,同時(shí)探討其阻變機(jī)理。主要結(jié)論如下:(1)通過(guò)旋涂法在透明柔性基底(ITO-PET)上制備一系列GO薄膜,以Ag為頂電極,得到一系列Ag/GO/ITO/器件,研究了GO懸浮液濃度對(duì)Ag/GO/ITO/器件阻變性能的影響。結(jié)果表明,不同GO懸浮液濃度制備的Ag/GO/ITO/器件均為雙極性阻變。當(dāng)GO懸浮液濃度為2 mg/mL時(shí),Ag/GO/ITO器件的阻變比率較大(約為52倍),SET和RESET電壓分布集中,具有優(yōu)異的疲勞性和保持性。Ag/GO/ITO/器件的阻變機(jī)理來(lái)源于電場(chǎng)作用下GO薄膜中氧離子的遷移,即SP²導(dǎo)電細(xì)...

【文章頁(yè)數(shù)】：75 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 阻變存儲(chǔ)器介紹
        1.2.1 RRAM的電阻轉(zhuǎn)變效應(yīng)
        1.2.2 阻變材料體系
        1.2.3 電阻轉(zhuǎn)變機(jī)理
        1.2.4 阻變存儲(chǔ)器的重要參數(shù)
        1.2.5 阻變存儲(chǔ)器的研究現(xiàn)狀
    1.3 GO基 RRAM簡(jiǎn)介及其研究現(xiàn)狀
        1.3.1 GO基 RRAM簡(jiǎn)介
        1.3.2 GO基 RRAM研究現(xiàn)狀
    1.4 本論文的研究目的及內(nèi)容
第二章 樣品制備和表征
    2.1 樣品制備
        2.1.1 旋涂液制備
            2.1.1.1 氧化石墨烯懸浮液制備
            2.1.1.2 TiO₂/ZnO納米顆粒摻雜GO懸浮液制備
        2.1.2 薄膜制備
    2.2 頂電極制備
    2.3 物相及形貌表征
        2.3.1 X射線衍射儀(XRD)
        2.3.2 掃描電子顯微鏡及能譜儀(SEM及 EDS)
        2.3.3 透射電子顯微鏡(TEM)
        2.3.4 拉曼光譜(Raman spectra)
    2.4 阻變特性
        2.4.1 I-V曲線
        2.4.2 疲勞性
        2.4.3 保持性
第三章 GO薄膜的阻變性能
    3.1 引言
    3.2 Ag/GO/ITO器件制備
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 XRD分析
        3.3.2 SEM形貌
        3.3.3 阻變性能
            3.3.3.1 I-V曲線
            3.3.3.2 電壓分散性
            3.3.3.3 疲勞性和保持性
        3.3.4 透射率
        3.3.5 機(jī)理分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 TiO₂ 納米顆粒摻雜GO薄膜的阻變性能
    4.1 引言
    4.2 Ag/GO-TiO₂/ITO器件制備
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 XRD分析
        4.3.2 SEM和 EDS分析
        4.3.3 阻變性能
            4.3.3.1 I-V曲線
            4.3.3.2 電壓分散性
            4.3.3.3 疲勞性和保持性
        4.3.4 透光性
        4.3.5 機(jī)理分析
    4.4 本章小結(jié)
第五章 Zn O納米顆粒摻雜GO薄膜的阻變效應(yīng)
    5.1 引言
    5.2 Ag/GO-ZnO/ITO器件制備
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 XRD分析
        5.3.2 SEM和 ESD分析
        5.3.3 透光性
        5.3.4 阻變性能
            5.3.4.1 I-V曲線
            5.3.4.2 電壓分散性
            5.3.4.3 疲勞性和保持性
        5.3.5 機(jī)理分析
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論和展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
個(gè)人簡(jiǎn)歷、在學(xué)期間的研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文



本文編號(hào)：3770534