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固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)研究

發(fā)布時(shí)間:2017-05-17 07:13

  本文關(guān)鍵詞:固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:計(jì)算機(jī)系統(tǒng)經(jīng)過幾十年的發(fā)展,在各方面都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。硬盤的容量雖然有很大的提升,但是其訪問速度與計(jì)算機(jī)的其他部件(如內(nèi)存、處理器)的速度相比,速度不匹配問題進(jìn)一步加深,這使得存儲(chǔ)子系統(tǒng)成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能瓶頸;贜AND閃存的固態(tài)硬盤的出現(xiàn),使這個(gè)問題得到一定程度的緩解。然而由于閃存的固有缺陷,基于NAND閃存的固態(tài)硬盤也有諸多不盡人意之處,如讀寫速度差異大、不支持原地更新、擦除次數(shù)有限等,這嚴(yán)重影響了它的性能、壽命及可靠性等。本文以基于NAND閃存的固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)為研究對(duì)象,在分析NAND閃存的基本特性及固態(tài)硬盤的構(gòu)架的基礎(chǔ)上,主要研究了固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)中的閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)算法和緩沖區(qū)管理算法。 在閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)計(jì)的研究中,通過分析DFTL算法的缺陷,本文提出了SDFTL(Sequential/Second Cache DFTL)算法,增強(qiáng)了對(duì)連續(xù)請(qǐng)求的處理能力,減少了由于映射項(xiàng)頻繁剔除引起的翻譯頁更新。該算法新設(shè)置連續(xù)緩存和二級(jí)緩存,連續(xù)緩存利用請(qǐng)求的空間局部性,對(duì)請(qǐng)求的映射信息進(jìn)行預(yù)取,以提高緩存的命中率,減少對(duì)翻譯頁的讀取次數(shù);二級(jí)緩存對(duì)映射項(xiàng)的剔除策略進(jìn)行改進(jìn),將從一級(jí)緩存剔除的、發(fā)生更新的映射項(xiàng)暫存在二級(jí)緩存中,延遲了映射項(xiàng)的更新時(shí)間,并采用批量更新策略回寫到閃存,以減少翻譯頁的寫回次數(shù)和擦除次數(shù)。通過以上兩點(diǎn)改進(jìn),SDFTL算法能明顯改善對(duì)連續(xù)請(qǐng)求的處理能力,減少系統(tǒng)的平均響應(yīng)時(shí)間。仿真實(shí)驗(yàn)表明,SDFTL算法相比DFTL,映射表命中率平均提高41.57%,擦除次數(shù)平均減少23.08%,響應(yīng)時(shí)間平均減少17.74%。 在緩沖區(qū)管理算法設(shè)計(jì)的研究中,通過分析BPLRU算法的缺陷,本文提出了一種基于虛擬塊的寫緩沖區(qū)管理算法——VBLRU(Virtual Block-based LRU)算法,減少了緩存項(xiàng)剔除時(shí)的額外讀寫操作,提高了緩沖區(qū)的空間利用率。該算法使用虛擬塊做為緩沖區(qū)管理的基本單元,增加了構(gòu)成連續(xù)請(qǐng)求的可能性,減少了對(duì)閃存的額外讀寫操作;對(duì)大塊的連續(xù)請(qǐng)求不加載到緩沖區(qū)中,直接交由FTL處理,提高了緩沖區(qū)的利用率。通過以上改進(jìn),VBLRU算法能明顯減少對(duì)閃存的讀取次數(shù),有效提高緩沖區(qū)的利用率,提高系統(tǒng)的整體性能。仿真實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)緩沖區(qū)容量為1MB時(shí),VBLRU算法相比BPLRU,寫緩沖區(qū)命中率平均提高7.25%,,擦除次數(shù)平均減少31.64%,響應(yīng)時(shí)間平均減少22.50%。
【關(guān)鍵詞】:固態(tài)硬盤 NAND閃存 閃存轉(zhuǎn)換層 緩沖區(qū)管理
【學(xué)位授予單位】:杭州電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號(hào)】:TP333.35
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • ABSTRACT6-10
  • 第1章 緒論10-15
  • 1.1 研究背景與意義10
  • 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-13
  • 1.2.1 固態(tài)硬盤簡(jiǎn)介10-11
  • 1.2.2 固態(tài)硬盤的研究熱點(diǎn)11-13
  • 1.3 論文研究?jī)?nèi)容13-14
  • 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)14-15
  • 第2章 固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)基礎(chǔ)15-26
  • 2.1 閃存簡(jiǎn)介15-17
  • 2.1.1 閃存的基本概念和分類15
  • 2.1.2 NAND 閃存的結(jié)構(gòu)15-16
  • 2.1.3 NAND 閃存的分類16-17
  • 2.2 固態(tài)硬盤的構(gòu)架17-18
  • 2.3 關(guān)鍵技術(shù)概述18-23
  • 2.3.1 地址映射18-21
  • 2.3.2 垃圾回收21-22
  • 2.3.3 損耗均衡22-23
  • 2.3.4 關(guān)鍵技術(shù)總結(jié)23
  • 2.4 仿真平臺(tái)的搭建23-24
  • 2.5 本章小結(jié)24-26
  • 第3章 閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)計(jì)26-43
  • 3.1 幾種經(jīng)典的 FTL 算法26-31
  • 3.1.1 BAST26-27
  • 3.1.2 FAST27-29
  • 3.1.3 DFTL29-31
  • 3.2 SDFTL 設(shè)計(jì)31-37
  • 3.2.1 設(shè)計(jì)動(dòng)機(jī)31
  • 3.2.2 SDFTL 的總體構(gòu)架31-32
  • 3.2.3 關(guān)鍵數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)32-33
  • 3.2.4 SDFTL 的地址映射33
  • 3.2.5 定性比較與分析33-37
  • 3.3 性能測(cè)試與結(jié)果分析37-41
  • 3.3.1 SDFTL 性能分析37-40
  • 3.3.2 SDFTL 與 DFTL、純頁級(jí) FTL 的性能對(duì)比分析40-41
  • 3.4 本章小結(jié)41-43
  • 第4章 緩沖區(qū)管理設(shè)計(jì)43-56
  • 4.1 緩沖區(qū)簡(jiǎn)介43-44
  • 4.1.1 緩沖區(qū)的原理概述43-44
  • 4.1.2 常見的緩沖區(qū)替換策略44
  • 4.2 可感知閃存的經(jīng)典緩沖區(qū)管理算法44-46
  • 4.2.1 Clean-First LRU44-45
  • 4.2.2 Block Padding LRU45-46
  • 4.3 VBLRU 設(shè)計(jì)46-48
  • 4.3.1 設(shè)計(jì)動(dòng)機(jī)46-47
  • 4.3.2 VBLRU 的關(guān)鍵技術(shù)47-48
  • 4.3.3 VBLRU 處理流程48
  • 4.4 性能測(cè)試與結(jié)果分析48-55
  • 4.4.1 VBLRU 性能分析50-51
  • 4.4.2 VBLRU 與 BPLRU 的性能對(duì)比分析51-55
  • 4.5 本章小結(jié)55-56
  • 第5章 總結(jié)與展望56-58
  • 5.1 總結(jié)56-57
  • 5.2 展望57-58
  • 致謝58-59
  • 參考文獻(xiàn)59-63
  • 附錄63

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  本文關(guān)鍵詞:固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號(hào):372778

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