隨著1947年晶體管在Bell實驗室的發(fā)明,微電子技術(shù)發(fā)展異常迅速,目前已進入超大規(guī)模集成電路時代。在我國,作為信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的微電子技術(shù),在生產(chǎn)和科研方面的速度已大大加快,已深入滲透到經(jīng)濟、生活的方方面面。從移動電話、圖像處理、語音處理合成、電腦到數(shù)碼相機等數(shù)字化產(chǎn)品,無不留有微電子技術(shù)的痕跡。靜態(tài)存儲器（SRAM）,作為數(shù)字化大家庭中的一員,近年來得到了長足的發(fā)展。它作為半導(dǎo)體存儲器中不可缺的一類產(chǎn)品,在計算機,通信等高速速據(jù)交換系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。據(jù)資料顯示,目前存儲器市場要占整個半導(dǎo)體市場的35%,而靜態(tài)存儲器則占各種存儲器總額的15%左右,并且隨著技術(shù)的改進和工藝的進步,每年以10%的速度遞增。因此靜態(tài)隨機存儲器作為IC領(lǐng)域中極為重要的一部分,對其進行長期不懈的研究開發(fā)具有深遠的意義。雙端口靜態(tài)存儲器,它采用兩套獨立的地址、數(shù)據(jù)和控制總線,同時允許兩個獨立的實體（如兩個處理器）對其進行存取,與單端口的存儲器相比,雙端口存儲器的存取效率提高一倍。靜態(tài)存儲器的存取速度由地址輸入到數(shù)據(jù)輸出的關(guān)鍵路徑?jīng)Q定。其中包括地址緩沖、譯碼器、存儲單元、靈敏放大器和輸出緩沖電路。其中存儲單元是... 

【文章來源】：江南大學江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

標準的SRAM6管單元

ATD電路

圖2.2兩級譯碼示意圖

【參考文獻】：
碩士論文
[1]SRAM靈敏放大器模塊的HSPICE仿真與設(shè)計改進[D]. 楊洪艷.北京工業(yè)大學 2004
[2]Flash Memory中靈敏放大器的設(shè)計[D]. 王強.合肥工業(yè)大學 2004
[3]嵌入式128Kb SRAM的研究與設(shè)計[D]. 田虹.西北大學 2002
[4]嵌入式SRAM優(yōu)化設(shè)計[D]. 王磊.電子科技大學 2003



本文編號：3588085