高速存儲(chǔ)系統(tǒng)在動(dòng)態(tài)信號(hào)測試等領(lǐng)域有著廣泛地應(yīng)。NAND FLASH作為一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì),它以半導(dǎo)體作為記憶載體,比傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備更能承受溫度的變化、機(jī)械的振動(dòng)和沖擊,可靠性更高,易于實(shí)現(xiàn)高速度、低功耗的存儲(chǔ)系統(tǒng),是解決大容量存儲(chǔ)技術(shù)的理想方案。目前基于NAND FLASH陣列存儲(chǔ)器的大容量、高速存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)成為存儲(chǔ)系統(tǒng)的一個(gè)研究熱點(diǎn)。課題針對動(dòng)態(tài)信號(hào)測試中多通道數(shù)據(jù)記錄的需求,提出一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)解決方案,設(shè)計(jì)了基于NAND FLASH陣列流水線存儲(chǔ)的大容量高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。文章首先介紹FLASH陣列式存儲(chǔ)的原理,進(jìn)而提出存儲(chǔ)系統(tǒng)總體的設(shè)計(jì)方案,并闡述了系統(tǒng)中的高速緩存、數(shù)據(jù)傳輸與控制以及軟件的實(shí)現(xiàn)方式;接著從系統(tǒng)軟硬件兩方面的具體實(shí)現(xiàn)過程上,重點(diǎn)分析了提高存儲(chǔ)速度、減小FIFO緩存容量等關(guān)鍵技術(shù)途徑,并設(shè)計(jì)了專門的DMA控制器,將FIFO緩存器的數(shù)據(jù)直接存儲(chǔ)到NAND FLASH陣列中。DMA控制器設(shè)計(jì)中采用了在不同的FLASH存儲(chǔ)器之間切換的流水線編程操作,實(shí)現(xiàn)了在使用少量的FIFO的條件下達(dá)到高速存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)目標(biāo)。系統(tǒng)采用Xilinx FPGA實(shí)現(xiàn)了整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng),在50MHz主... 

【文章來源】：中北大學(xué)山西省

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

SOPC系統(tǒng)組件面板上圖所示系統(tǒng)組件包含了MicroBlaze處理器、系統(tǒng)總線IP、中斷控制器、用戶設(shè)計(jì)

中北大學(xué)學(xué)位論文3.2.4 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊 DMA 控制器設(shè)計(jì)本系統(tǒng)要求進(jìn)行高速數(shù)據(jù)連續(xù)存儲(chǔ)，所以平均存儲(chǔ)速度是首要考慮的指標(biāo)。最直接的體現(xiàn)就是要使FLASH存儲(chǔ)速度提高。系統(tǒng)設(shè)計(jì)的DMA控制器就是為高速存儲(chǔ)提供的一個(gè)解決方案，使用VHDL語言設(shè)計(jì)DMA控制器來完成對FLASH的編程以及流水線操作過程。FLASH存儲(chǔ)器編程時(shí)序圖如圖3.7所示。

D=123300ns，由此可以計(jì)算出傳輸數(shù)據(jù)的平均速度為16.6MB/S。具體時(shí)序圖如圖3.9所示，通道0是地址FIFO讀信號(hào)，通道1是FLASH寫信號(hào)，通道 2 是 FLASH 地址鎖存信號(hào)，通道 3 是 FLASH 命令鎖存信號(hào)。

【參考文獻(xiàn)】：
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