磁盤(pán)陣列通過(guò)并行技術(shù)和冗余機(jī)制大大提高了磁盤(pán)存儲(chǔ)子系統(tǒng)的可用性（包括可靠性和性能）,并得到了廣泛的應(yīng)用。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的快速發(fā)展,現(xiàn)代社會(huì)產(chǎn)生和需要處理的數(shù)據(jù)量激增,對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和處理提出了更高的要求。雖然計(jì)算機(jī)硬件技術(shù)的迅速發(fā)展大大提高了存儲(chǔ)系統(tǒng)的容量,但是在可用性方面還有待改善。由于現(xiàn)代數(shù)據(jù)的價(jià)值已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了軟硬件的價(jià)值,意外的宕機(jī)或數(shù)據(jù)損壞都會(huì)給企業(yè)帶來(lái)巨大的經(jīng)濟(jì)損失。因而,如何提高磁盤(pán)陣列的可用性成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)之一,也成為存儲(chǔ)領(lǐng)域中亟需解決的重要課題。經(jīng)過(guò)理論分析、實(shí)際開(kāi)發(fā)與性能評(píng)估取得了下列一些成果。針對(duì)用戶(hù)I/O負(fù)載強(qiáng)度對(duì)磁盤(pán)陣列在線重建性能的影響,提出一種基于I/O負(fù)載重定向的重建優(yōu)化算法WorkOut,將重建中磁盤(pán)陣列收到的寫(xiě)請(qǐng)求和熱點(diǎn)讀請(qǐng)求重定向到代理磁盤(pán)陣列,降低了重建中磁盤(pán)陣列上用戶(hù)I/O負(fù)載的強(qiáng)度,加快了磁盤(pán)陣列的在線重建速度,同時(shí)減輕了重建過(guò)程對(duì)用戶(hù)性能的負(fù)面影響,提高了磁盤(pán)陣列存儲(chǔ)系統(tǒng)的可靠性和性能。由于大部分磁盤(pán)陣列重建算法需要花費(fèi)大量時(shí)間重建塊級(jí)未被使用的存儲(chǔ)空間,影響了存儲(chǔ)系統(tǒng)的可用性。為此,提出一種基于日志的重建優(yōu)化策略JOR,通過(guò)在塊級(jí)實(shí)時(shí)地... 

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

叭/orkout的架構(gòu)及其在磁盤(pán)陣列存儲(chǔ)系統(tǒng)中的位置

驗(yàn)計(jì)算和一次伽羅瓦域計(jì)算，如圖4.5(a)所示。505凡牡D6處理某條帶上第二個(gè)故障磁盤(pán)的首次讀請(qǐng)求主要分為三種情況。(1)第一個(gè)和第二個(gè)失效單元都是數(shù)據(jù)(簡(jiǎn)稱(chēng)為D一D)，如圖4.6(a)所示，數(shù)據(jù)單元BZ被寫(xiě)入Q校驗(yàn)位置而數(shù)據(jù)單元CZ被寫(xiě)入P校驗(yàn)位置;(2)第一個(gè)失效單元是P校驗(yàn)、第二個(gè)失效單元是數(shù)據(jù)(P一D)，如圖4.6(c)所示，數(shù)據(jù)單元C3被寫(xiě)到Q校驗(yàn)位置;(3)第一個(gè)失效單元是數(shù)據(jù)、第二個(gè)失效單元是Q校驗(yàn)(D一Q)，如圖4.6(e)所示，由于第一個(gè)故障磁盤(pán)73

對(duì)SOSRA刀D6來(lái)說(shuō)，故障磁盤(pán)上的寫(xiě)請(qǐng)求都會(huì)被直接重定向到同一條帶上的P校驗(yàn)位置或Q校驗(yàn)位置，第一個(gè)故障磁盤(pán)上的失效單元是數(shù)據(jù)單元、P校驗(yàn)還是Q校驗(yàn)決定了寫(xiě)數(shù)據(jù)應(yīng)該被寫(xiě)到磁盤(pán)陣列上的哪個(gè)校驗(yàn)位置，如圖4.7(a)、圖4.7偽)和圖4.7(c)所示。在所有的情況中，SOSRADO6都將相應(yīng)的bitll]設(shè)置為“1”，標(biāo)記該數(shù)據(jù)單元已經(jīng)被訪問(wèn)過(guò)而且被放置在校驗(yàn)位置，之后的訪問(wèn)都可以直接重定向到校驗(yàn)位置。根據(jù)上述SOSRAID6的寫(xiě)處理流程，下面給出SOSRA刃D6一FZ的寫(xiě)請(qǐng)求處理算法描述，其中假設(shè)RAID6磁盤(pán)陣列由n+2個(gè)磁盤(pán)組成，如算法4.3所示。 4.2.3SOSRAID6的重建方法SOSRALD6的重建方法主要基于PRO算法[571的思想。雖然位圖表僅僅是一個(gè)靜態(tài)值，也只反映了某數(shù)據(jù)單元是否被訪問(wèn)過(guò)，但是它在很大程度上也標(biāo)識(shí)了磁盤(pán)陣列訪問(wèn)模式的熱點(diǎn)區(qū)域。因此

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號(hào)：3535901