電子硬盤是一種利用非易失性電子類存儲器作為存儲介質(zhì)的硬盤。電子硬盤采用IDE接口與主機系統(tǒng)相連。硬盤控制器作為硬盤方面的主控制芯片負責實現(xiàn)硬盤的功能,其設計主要是以FPGA芯片作為載體,對電子硬盤控制器的設計方法主要采用的是一種基于IP核的SOC（SYSTEM ON CHIP）的EDA設計方法。目前NOR和NAND是現(xiàn)市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel首先開發(fā)出NORFlash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,東芝公司發(fā)表了NAND Flash結構,強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。與NOR Flash相比,NAND Flash雖然有眾多優(yōu)勢,然而由于NAND Flash的地址、數(shù)據(jù)與指令共用一根總線,其操作的復雜性要遠遠大于NOR Flash。為了簡化NAND Flash的操作,可以為NAND Flash設計一個控制器,為其添加一個無粘接接口（Glueless Interface）。本文重點介紹了NANDFlash,還介紹了一個NAND Flash控制器的設計過程,接上這個控制器就可以使外部產(chǎn)生類似SRA... 

【文章來源】：國防科技大學湖南省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

NANDFlash結構圖

圖2.3輸入寄存器頁編程指令帶有隨機數(shù)據(jù)輸入的編程指令。圖中加亮的扇區(qū)顯示，該指令只需要后面跟隨著數(shù)據(jù)的2個字節(jié)的地址所有NAND操作開始時，都提供一個指令周期(見下表2.1)�？傮w而言，NAND的基本操作包括:復位(Reset，F(xiàn)Fh)操作、讀ID(ReadID，OOh)操作、讀狀態(tài)(ReadStatus，70h)操作、編程(Progr田刀，80h)操作、隨機數(shù)據(jù)輸入(R耐omdatai叩ut，85h)操作和讀(Read)操作等。表2.1NAND的基本操作CCCor口rn即dddCorn們。andddNumberrrDataaaCommmValidddcccccyclelllofffcycleeem明dddduringggAAAAAAAddreSSSSRequireeecycleZZZbusyyycccccccyclellldlllllllPPPageReaddd00hhh555N00030hhhN000PPPageReadCacheModeStarttt3lhhhhhN00000N000PPPageReadCacheModeStarttt3FhhhhhN00000N000LLLISttttttttttttt

圖2.5頁讀緩存模式2.6本章小結本章是對電子硬盤存儲介質(zhì)的研究，分析了NANDFlash和NORFlash等技術特點，并對出現(xiàn)的一些新技術如ORNAND和ONENAND做了簡要介紹;對其作為電子硬盤存儲介質(zhì)的可行性作了論述，并以此為依據(jù)，選擇NANDFlash作為電子硬盤存儲介質(zhì)。第19頁

【參考文獻】：
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本文編號：3494628