電子硬盤(pán)是一種利用非易失性電子類(lèi)存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)介質(zhì)的硬盤(pán)。電子硬盤(pán)采用IDE接口與主機(jī)系統(tǒng)相連。硬盤(pán)控制器作為硬盤(pán)方面的主控制芯片負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)硬盤(pán)的功能,其設(shè)計(jì)主要是以FPGA芯片作為載體,對(duì)電子硬盤(pán)控制器的設(shè)計(jì)方法主要采用的是一種基于IP核的SOC（SYSTEM ON CHIP）的EDA設(shè)計(jì)方法。目前NOR和NAND是現(xiàn)市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel首先開(kāi)發(fā)出NORFlash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,東芝公司發(fā)表了NAND Flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。與NOR Flash相比,NAND Flash雖然有眾多優(yōu)勢(shì),然而由于NAND Flash的地址、數(shù)據(jù)與指令共用一根總線,其操作的復(fù)雜性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于NOR Flash。為了簡(jiǎn)化NAND Flash的操作,可以為NAND Flash設(shè)計(jì)一個(gè)控制器,為其添加一個(gè)無(wú)粘接接口（Glueless Interface）。本文重點(diǎn)介紹了NANDFlash,還介紹了一個(gè)NAND Flash控制器的設(shè)計(jì)過(guò)程,接上這個(gè)控制器就可以使外部產(chǎn)生類(lèi)似SRA... 

【文章來(lái)源】：國(guó)防科技大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

NANDFlash結(jié)構(gòu)圖

圖2.3輸入寄存器頁(yè)編程指令帶有隨機(jī)數(shù)據(jù)輸入的編程指令。圖中加亮的扇區(qū)顯示，該指令只需要后面跟隨著數(shù)據(jù)的2個(gè)字節(jié)的地址所有NAND操作開(kāi)始時(shí)，都提供一個(gè)指令周期(見(jiàn)下表2.1)。總體而言，NAND的基本操作包括:復(fù)位(Reset，F(xiàn)Fh)操作、讀ID(ReadID，OOh)操作、讀狀態(tài)(ReadStatus，70h)操作、編程(Progr田刀，80h)操作、隨機(jī)數(shù)據(jù)輸入(R耐omdatai叩ut，85h)操作和讀(Read)操作等。表2.1NAND的基本操作CCCor口rn即dddCorn們。andddNumberrrDataaaCommmValidddcccccyclelllofffcycleeem明dddduringggAAAAAAAddreSSSSRequireeecycleZZZbusyyycccccccyclellldlllllllPPPageReaddd00hhh555N00030hhhN000PPPageReadCacheModeStarttt3lhhhhhN00000N000PPPageReadCacheModeStarttt3FhhhhhN00000N000LLLISttttttttttttt

圖2.5頁(yè)讀緩存模式2.6本章小結(jié)本章是對(duì)電子硬盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)的研究，分析了NANDFlash和NORFlash等技術(shù)特點(diǎn)，并對(duì)出現(xiàn)的一些新技術(shù)如ORNAND和ONENAND做了簡(jiǎn)要介紹;對(duì)其作為電子硬盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)的可行性作了論述，并以此為依據(jù)，選擇NANDFlash作為電子硬盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)。第19頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3494628