鐵電/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)由于在界面處存在晶格、電荷、軌道、自旋的相互耦合作用,擁有特殊的界面效應(yīng),能夠展現(xiàn)出豐富獨(dú)特的物理性質(zhì),在光伏、儲能、信息存儲領(lǐng)域中均表現(xiàn)出了優(yōu)秀的應(yīng)用前景。但是目前及鐵電/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的界面效應(yīng)以及鐵電與阻變行為之間的必然聯(lián)系尚未完全清楚,限制了鐵電阻變存儲器的進(jìn)一步發(fā)展。本碩士論文采用利用脈沖激光沉積法在摻鈮的鈦酸鍶（Nb:SrTiO3,NSTO）半導(dǎo)體襯底上制備了高質(zhì)量外延的鋯鈦酸鉛（PbZr0.52Ti0.48O3,PZT）鐵電薄膜,并在PZT與NSTO之間構(gòu)造了不同厚度的鑭鍶錳氧（La0.67Sr0.33MnO3,LSMO）插層,進(jìn)一步研究界面能帶結(jié)構(gòu)對鐵電/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)鐵電阻變行為的影響,以期實現(xiàn)阻變性能的有效調(diào)控,闡明了PZT/LSMO/NSTO異質(zhì)結(jié)鐵電阻變的微觀機(jī)制。主要的研究內(nèi)容和結(jié)論如下:在STO基板上制備了不同厚度的LSMO薄膜,用倒易空間圖全面地分析了LSMO薄膜的應(yīng)力狀態(tài),確定了LSMO薄膜的應(yīng)力弛豫厚度為51 nm,并且確定了LSMO薄膜的生長速率為2.5 nm/min;在Nb:STO基板上制備了不同厚度的PZT薄膜,發(fā)現(xiàn)PZT/NSTO... 

【文章來源】：沈陽工業(yè)大學(xué)遼寧省

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

電介質(zhì)材料分類及其相互關(guān)系

第1章緒論3義上的鐵電疇的翻轉(zhuǎn)[11]。鐵電存儲器（FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM）就是通過改變外加電場的方向，利用鐵電材料在外電場作用下剩余極化呈現(xiàn)的的兩種不同狀態(tài)分別代表存儲器的“0”和“1”態(tài)，以此來存儲信息[12-14]。圖1.2鐵電材料的電滯回線Fig.1.2HysteresisloopofferroelectricmaterialFRAM具有極快的讀寫速度，高存儲密度，抗輻射性，耐高溫性等優(yōu)點[15]。鐵電隨機(jī)存取存儲器具有能耗低、集成度高、關(guān)閉電源后數(shù)據(jù)不會消失等優(yōu)點。但是，F(xiàn)RAM難以改善集成問題，過程污染嚴(yán)重以及兼容性問題，這需要繼續(xù)研究和提出有效的解決方案。1.2.4阻變存儲器阻變存儲器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM）的基本結(jié)構(gòu)如圖1.3所示[16]。圖1.3三明治結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1.3Schematicdiagramofsandwichstructure

第1章緒論3義上的鐵電疇的翻轉(zhuǎn)[11]。鐵電存儲器（FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM）就是通過改變外加電場的方向，利用鐵電材料在外電場作用下剩余極化呈現(xiàn)的的兩種不同狀態(tài)分別代表存儲器的“0”和“1”態(tài)，以此來存儲信息[12-14]。圖1.2鐵電材料的電滯回線Fig.1.2HysteresisloopofferroelectricmaterialFRAM具有極快的讀寫速度，高存儲密度，抗輻射性，耐高溫性等優(yōu)點[15]。鐵電隨機(jī)存取存儲器具有能耗低、集成度高、關(guān)閉電源后數(shù)據(jù)不會消失等優(yōu)點。但是，F(xiàn)RAM難以改善集成問題，過程污染嚴(yán)重以及兼容性問題，這需要繼續(xù)研究和提出有效的解決方案。1.2.4阻變存儲器阻變存儲器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM）的基本結(jié)構(gòu)如圖1.3所示[16]。圖1.3三明治結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1.3Schematicdiagramofsandwichstructure

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3492064