發(fā)布時(shí)間：2021-11-03 11:17

　　制備了Pt/Nb:SrTiO₃肖特基結(jié),測試了該器件的電阻變換和光響應(yīng)特性。該器件的最大阻變（resistive switching,RS）倍率達(dá)到1.1×106,有較好的翻轉(zhuǎn)和保持性能,并且具有多級(jí)存儲(chǔ)特性。對(duì)器件施加紫色（405 nm）和紅色（650 nm）激光光照,可觀察到明顯的光響應(yīng)特性,特別是器件在高阻態(tài)下的光響應(yīng)具有顯著的開關(guān)特性。實(shí)現(xiàn)了光照對(duì)Pt/Nb:SrTiO₃器件阻變的調(diào)控以及電壓對(duì)器件光響應(yīng)的調(diào)控。對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析表明,Pt/Nb:SrTiO₃的阻變以及光響應(yīng)現(xiàn)象來源于Pt/Nb:SrTiO₃界面肖特基勢壘及附近缺陷對(duì)電子的束縛/解束縛。該器件在多級(jí)阻變存儲(chǔ)器以及多功能光電傳感器中有潛在的應(yīng)用價(jià)值。 

【文章來源】：武漢大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版). 2020,66(06)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【部分圖文】：

Pt/NSTO器件的I-V及阻變特性

圖2(a）和圖2(b）分別為I-V曲線正向高電壓部分（大約+0.6～+1.5 V）的F-N隧穿分段擬合結(jié)果，電壓處于+0.6～+1.1 V的區(qū)域?yàn)镽egionⅠ，處于+1.1～+1.5 V的區(qū)域?yàn)镽egionⅡ，兩個(gè)區(qū)域I-V曲線的F-N隧穿擬合斜率不同。根據(jù)擬合的直線斜率算得的隧穿勢壘如表1所示，可以看到相同-Vmax下，RegionⅠ的隧穿勢壘高于RegionⅡ。同時(shí)，隨著-Vmax的增加，RegionⅠ和RegionⅡ的隧穿勢壘都逐漸增大。這與上文中，隨著-Vmax逐漸增大，器件RESET后的電阻逐漸增大的結(jié)果是一致的。如圖2(c）所示，器件的I-V曲線在正向小電壓部分（小于+0.8 V）符合肖特基二極管正向電流特性

為了研究Pt/NSTO的阻變與光響應(yīng)之間的聯(lián)系，用不同的電壓脈沖對(duì)器件進(jìn)行寫入，接著讀取器件在光照下的開路電壓Voc（圖3(c）），然后用-0.2V電壓脈沖讀取器件在暗場和光照下的電阻（圖3(d））。由圖3(d）和圖3(c）可知，光照使HRS阻值顯著減小；隨著正向?qū)懭腚妷褐饾u增大，器件逐漸轉(zhuǎn)變到LRS，同時(shí)開路電壓逐漸減小至幾乎為零；而隨反向?qū)懭腚妷旱纳�，器件電阻和開路電壓逐漸增大。這表明器件電阻與開路電壓相互關(guān)聯(lián)。2.5 不同阻態(tài)下Pt/NSTO的光響應(yīng)特性


本文編號(hào)：3473585